[发明专利]功率半导体模块有效
| 申请号： | 200880011912.1 | 申请日： | 2008-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101657899A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 八木雄二;山田靖;中川郁朗;渥美贵司;白井干夫;大沼郁雄;石田清仁;高久佳和 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/36;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蒋 亭;苗 堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种在2个部件之间用Bi系焊接材料接合而成的功率半导体模块，该功率半导体模块在上述2个部件利用Bi系焊接材料而形成的被接合面上具有Cu层。作为被接合部件的上述2个部件，是半导体元件与绝缘部、或者绝缘部与散热板的组合。绝缘部由Cu/SiNx/Cu的层叠体构成。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
1、一种功率半导体模块，具有在表面具有Cu层的功率半导体元件、以及在SiNx陶瓷板的两面具有Cu层的Cu/SiNx/Cu层叠体的绝缘部，将所述功率半导体元件和所述绝缘部以彼此的Cu层相对的方式进行配置，并在2个Cu层之间用Bi系焊接材料接合而成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田自动车株式会社;国立大学法人东北大学，未经丰田自动车株式会社;国立大学法人东北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880011912.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
