[发明专利]包括非易失性存储器阵列的电子器件和使用该器件的方法有效
| 申请号： | 200880011299.3 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101652855A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 罗纳德·J·希兹德克;高里尚卡尔·L·真达洛雷;托马斯·尤 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘光明;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电子器件(10)可以包括第一存储器单元(311)和第二存储器单元(312)。第一存储器单元(311)可以包括第一源极，并且第二存储器单元可以包括第二源极。第一存储器单元(311)和第二存储器单元(312)可以位于存储器阵列(12)的同一扇区(1210)内。在一个实施例中，擦除电子器件(10)可以包括在抑制第二存储器单元(312)的擦除的同时，擦除第一存储器单元(311)。第三存储器单元(321)可以具有第三源极，并且位于另一个扇区(1220)内。在另一个实施例中，抑制第一存储器单元(311)的擦除可以包括将第一源极和第三源极置于相同的电势。在特定的实施例中，第一源极可以与第二源极电绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 非易失性存储器 阵列 电子器件 使用 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用包括非易失性存储器阵列的电子器件的方法，包括：擦除在所述非易失性存储器阵列的第一扇区内的第一存储器单元；以及在擦除所述第一存储器单元的同时抑制擦除在所述第一扇区内的第二存储器单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
