[发明专利]包括非易失性存储器阵列的电子器件和使用该器件的方法

权利要求书

1.一种使用包括非易失性存储器阵列的电子器件的方法，所述非 易失性存储器阵列具有第一多个存储器单元，其中所述第一多个存储 器单元包括第一存储器单元和第二存储器单元，所述第一存储器单元 包括第一源极和第一控制栅，以及所述第二存储器单元包括第二源极 和第二控制栅，所述方法包括：

在第一擦除脉冲期间同时擦除所述第一多个存储器单元；

通过在所述第一存储器单元上形成第一电势差，在所述第一擦除 脉冲之后的第二擦除脉冲期间，进一步擦除所述第一存储器单元；以 及

在所述第二擦除脉冲期间，在进一步擦除所述第一存储器单元的 同时抑制擦除所述第二存储器单元，其中抑制擦除所述第二存储器单 元包括在所述第二存储器单元上形成不足以使所述第二存储器单元编 程发生的第二电势差。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，抑制擦除所述第二存储器 单元包括：将所述第二存储器单元的所述第二源极置于比所述第二存 储器单元的漏极更高的电势。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，抑制擦除所述第二存储器 单元包括：将源位线置于一电势，其中，所述源位线被电耦合到存储 器单元组的源极，其中，所述存储器单元组包括：

在第一扇区内的所述第二存储器单元；以及

在第二扇区内的第三存储器单元。

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

进一步擦除所述第一存储器单元包括：在所述第一存储器单元的 所述第一控制栅和所述第一存储器单元的所述第一源极之间形成所述 第一电势差；

抑制擦除所述第二存储器单元包括：

在所述第二存储器单元的所述第二控制栅和所述第二存储器 单元的所述第二源极之间形成所述第二电势差；以及

在所述第三存储器单元的控制栅和所述第三存储器单元的源 极之间形成第三电势差；

所述第一电势差大于所述第二电势差；以及

所述第二电势差大于所述第三电势差。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一和第二存储器单元在第一扇区内；以及

在所述第一擦除脉冲期间擦除所述第一存储器单元包括：在抑制 擦除在所述第一扇区内的所述第二存储器单元之前，擦除在所述第一 扇区内的所有存储器单元。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述第一和第二存储器单元在第一扇区内；以及

抑制擦除所述第二存储器单元包括：抑制在所述第一扇区内的所 有存储器单元的擦除，除了包括所述第一存储器单元的存储器单元集 合，其中，存储器单元组对应于数据I/O并且包括所述存储器单元集合。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在进一步擦除所述 第一存储器单元之后验证擦除所述第一存储器单元。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，验证擦除所述第一存储器 单元包括：使用与当读取所述第一存储器单元时所使用的相同的数据 I/O。

9.根据权利要求1所述的方法，其中

所述第一源极电耦合到第一数据I/O；以及

所述第二源极电耦合到第二数据I/O，其中：

所述第一源极与所述第二源极电绝缘；以及

所述第一数据I/O与所述第二数据I/O不同。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述非易失性存储器阵列进 一步包括：

第三存储器单元，所述第三存储器单元在所述非易失性存储器阵 列的第二扇区内，其中，所述第三存储器单元包括电耦合到所述第一 存储器单元的所述第一源极的第三源极；以及

第四存储器单元，所述第四存储器单元在所述非易失性存储器阵 列的第二扇区内，其中，所述第四存储器单元包括电耦合到所述第二 存储器单元的所述第二源极的第四源极。