[发明专利]用以减小像素阵列中的接地电阻的方法、设备和系统有效
申请号: | 200880007279.9 | 申请日: | 2008-02-22 |
公开(公告)号: | CN101641789A | 公开(公告)日: | 2010-02-03 |
发明(设计)人: | 理查德·A·毛里松 | 申请(专利权)人: | 普廷数码影像控股公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孟 锐 |
地址: | 英属开*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示用于图像传感器装置的方法、装置和系统。图像传感器装置包括图像像素(P1、P2)的阵列,其中每一像素(P1、P2)经配置以用于感测入射在所述像素(P1、P2)上的光。图像传感器装置可进一步包括在多个图像像素中的至少两个图像像素(P1、P2)之间共享的接地触点(310)。所述接地触点(310)可在所述阵列上以均匀图案、随机图案或重复随机图案提供。所述图像传感器装置可进一步包含包括多个像素的共享像素结构阵列,其中接地触点(310)可在所述像素结构阵列上均匀或随机地放置在每一像素结构内。 | ||
搜索关键词: | 用以 减小 像素 阵列 中的 接地 电阻 方法 设备 系统 | ||
【主权项】:
1.一种包括图像传感器装置的电子装置,所述图像传感器装置包括:衬底;图像像素阵列,所述阵列的每一图像像素经配置以用于感测入射在所述像素上的光,其中所述阵列的每一图像像素包括位于p-型区内的光敏区域,用于在所述光敏区域内累积光生电荷,其中所述p-型区形成于所述衬底上;以及多个接地触点,其以可操作方式耦合到所述p-型区,其中所述多个接地触点中的至少一些接地触点在所述阵列的至少两个图像像素之间共享。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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