[发明专利]用以减小像素阵列中的接地电阻的方法、设备和系统

权利要求书

1.一种包括图像传感器装置的电子装置，所述图像传感器装置包括：

衬底；

图像像素阵列，所述阵列的每一图像像素经配置以用于感测入射在所述像素上的 光，其中所述阵列的每一图像像素包括位于p-型区内的光敏区域，用于在所述光敏 区域内累积光生电荷，其中所述p-型区形成于所述衬底上；以及

多个接地触点，所述多个接地触点中的每一接地触点电连接到所述p-型区，且形 成于所述p-型区中的隔离区上方并与所述隔离区大体横向对准，其中所述多个接地 触点中的至少一些接地触点在所述阵列的至少两个图像像素之间共享。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括形成于所述衬底与所述p-型区之间 的n-型层。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述n-型层包括n-外延层和形成有n-型掺 杂剂的植入区中的至少一者。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述多个接地触点以选自由均匀图案、随机 图案和重复随机图案中的组成的群组中的一种图案分布在所述阵列上。

5.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述隔离层提供从所述多个接地触点到所述 p-型区的电连接。

6.根据权利要求5所述的电子装置，其中所述隔离区包括选自由浅沟槽隔离、p-阱层 和p+型区组成的群组中的一种区域。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述衬底包括p-型衬底和n-型衬底中的至 少一者。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述p-型区包括p-外延层和形成有p-型掺 杂剂的植入区中的至少一者。

9.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述图像像素阵列包括多个图像像素结构， 所述多个图像像素结构各自包括所述阵列的多个图像像素，其中所述多个图像像素 结构中的每一图像像素结构经配置以接纳所述多个接地触点中的一接地触点。

10.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述多个图像像素结构以均匀图案、随机图 案和重复随机图案中的至少一者接纳所述接地触点。

11.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括电子系统，所述电子系统包含电连 接到所述图像传感器装置的基于处理器的装置。

12.一种在图像像素阵列中提供减小的接地电阻的方法，其包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成p-型区；

形成图像像素阵列，其中每一图像像素包括位于所述p-型区内的光敏区域，用于 在所述光敏区域内累积光生电荷；以及

形成多个接地触点，所述多个接地触点中的每一接地触点电连接到所述p-型区， 且形成于所述p-型区中的隔离区上方并与所述隔离区大体横向对准，其中所述多个 接地触点中的至少一些接地触点在所述阵列的至少两个图像像素之间共享。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括在所述衬底与所述p-型区之间形成n- 型层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成n-型层包括形成n-外延区和形成有n-型掺 杂剂的植入区中的至少一者。

15.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述多个接地触点包括以选自由均匀图案、 随机图案和重复随机图案组成的群组中的一种图案在所述阵列上形成多个接地触 点。

16.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述多个接地触点包括形成以可操作方式 耦合在至少一个隔离区上方的所述多个接地触点。

17.根据权利要求12所述的方法，其中提供衬底包括提供p-型衬底和n-型衬底中的至 少一者。

18.根据权利要求12所述的方法，其中形成p-型区包括形成p-外延区和形成有p-型掺 杂剂的植入区中的至少一者。