[发明专利]光电半导体芯片以及用于制造此类芯片的接触结构的方法有效
| 申请号： | 200880003583.6 | 申请日： | 2008-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101601144A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | R·温迪希 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 汤春龙;徐予红 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有半导体主体(2)的光电半导体芯片(1)，该半导体主体(2)具有半导体层组，该半导体层组具有适于产生辐射的有源区(3)，其中半导体芯片包括：辐射能穿透且导电的接触层(6)，其设置在半导体主体(2)上并且与有源区(3)导电联接，其中接触层(6)与半导体层组的阻挡层(5)相邻并且与在半导体主体(2)上布设的、具有结构的连接层(4)相邻；电极(14)，设置在半导体主体(2)上的有源区(3)的与阻挡层(5)相对的一侧上，该电极(14)具有连接区(140)，其中接触层(6)在由电极(14)的连接区(140)遮盖的阻挡层(5)区域中整个面积地相邻于阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 半导体 芯片 以及 用于 制造 接触 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有半导体主体(2)的光电半导体芯片(1)，其中所述半导体主体(2)具有带有适于产生辐射的有源区(3)的半导体层组，包括：设置在所述半导体主体(2)上且与所述有源区(3)导电联接的辐射能穿透且导电的接触层(6)，其中所述接触层(6)与所述半导体层组的阻挡层(5)相邻并且与在所述半导体主体(2)上布设的且具有结构的连接层(4)相邻；电极(14)，设置在所述半导体主体(2)上、与所述阻挡层(5)相对的所述有源区(3)的一侧上，所述电极(14)具有连接区(140)，其中所述接触层(6)在由所述电极(14)的所述连接区(140)遮盖的所述阻挡层(5)的区域中整个面积地相邻于所述阻挡层。
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