[发明专利]光电半导体芯片以及用于制造此类芯片的接触结构的方法

权利要求书

1.一种具有半导体主体(2)的光电半导体芯片(1)，其中所述半导 体主体(2)具有带有适于产生辐射的有源区(3)的半导体层组，包括：

设置在所述半导体主体(2)上且与所述有源区(3)导电联接的辐射 能穿透且导电的接触层(6)，其中所述接触层(6)与所述半导体层组的阻 挡层(5)相邻并且与在所述半导体主体(2)上布设的且具有结构的连接 层(4)相邻；和

电极(14)，设置在所述半导体主体(2)上、与所述阻挡层(5)相对的 所述有源区(3)的一侧上，所述电极(14)具有连接区(140)，其中所述接 触层(6)在所述阻挡层(5)的区域(80)中整个面积地直接相邻于所述阻 挡层并且所述阻挡层(5)的该区域(80)完全地遮盖所述电极(14)的 连接区(140)。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述连接层(4)在所述 阻挡层(5)的该区域(80)中具有空隙并且所述接触层(6)延伸通过所述 空隙。

3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中所述连接层(4)相 邻于所述阻挡层。

4.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中所述半导体层组 的具有结构的中间层(20)设置在所述连接层(4)和所述阻挡层(5)之间。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片，其中所述中间层(20)在所 述阻挡层(5)的该区域(80)中具有空隙并且所述接触层(6)延伸通过所 述中间层的所述空隙。

6.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中所述接触层(6)构 造为连续的层。

7.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中所述阻挡层(5)构 造为连续的层。

8.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中所述半导体主体 具有凹口，所述凹口在所述有源区(3)方向上渐窄，其中所述接触层(6) 延伸到所述凹口中。

9.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中所述连接层(4)包 括辐射能穿透且导电的氧化物。

10.根据权利要求9所述的半导体芯片，其中所述连接层的所述 导电氧化物是金属氧化物。

11.根据权利要求10所述的半导体芯片，其中所述金属氧化物包 括氧化锌、氧化锡或铟锡氧化物。

12.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中所述连接层构造 为连接金属或连接合金。

13.根据权利要求12所述的半导体芯片，其中所述连接层包括 AuGe或AuZn。

14.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中所述接触层(6) 包含辐射能穿透且导电的氧化物。

15.根据权利要求14所述的半导体芯片，其中所述辐射能穿透且 导电的氧化物是金属氧化物。

16.根据权利要求15所述的半导体芯片，其中所述金属氧化物是 氧化锌或者氧化锡或者铟锡氧化物。

17.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中在与所述有源区 (3)相对的所述接触层(6)的所述侧上设置有反射层(9)。

18.根据权利要求17所述的半导体芯片，其中所述反射层(9)包含 金属。

19.根据权利要求18所述的半导体芯片，其中所述反射层(9)包含 Au、Ag或Al。

20.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中所述阻挡层(5) 设置在所述有源区(3)和所述连接层(4)之间。

21.根据权利要求1或2所述的半导体芯片，其中所述半导体主体 (2)实施为薄膜半导体主体。