[发明专利]光电半导体芯片以及用于制造此类芯片的接触结构的方法

说明书

光电半导体芯片以及用于制造此类芯片的接触结构的方法

本专利申请要求德国专利申请102007005672.0和102007020291.3 的优先权，其公开的内容通过引用结合到本文中。

本发明涉及一种光电半导体芯片，尤其涉及产生辐射的半导体芯 片，例如发光二极管芯片。

本发明的目的在于，提供一种具有更高效率的半导体芯片及其制 造方法，该方法适于制造这类半导体芯片。

该目的通过根据独立权利要求1或23的半导体芯片或方法实现。

有利地，可通过接触层，该接触层既相邻于半导体主体 (Halbleiterkoerper)也相邻于布设于半导体主体上的结构化(strukturiert) 连接层，使得进入半导体主体中的载流子注入集中在半导体主体区域 上，该半导体主体区域利用连接层覆盖。在没有连接层的半导体主体 区域，其中接触层相邻于半导体主体，相对于利用连接层遮盖的区域 可降低载流子注入。与此相应，由接触层直接相邻于半导体主体的区 域来实现仅降低有源区中的载流子，由此在该有源区区域中仅产生相 对较小的辐射功率。

设置在半导体主体与接触层相对的一侧上的电极的连接区，例如 用于利用接合线进行接合的电极区域，经常大量吸收有源区中产生的 辐射。因而优选地是，半导体中的载流子注入由与电极相对的侧在连 接区遮盖的区域中有目的地降低。这可通过在该区域中空白的结构化 连接层来实现。因而，降低了连接区之下产生的辐射功率以及由此在 连接区中可吸收的辐射功率。

光电半导体芯片以及制造适于产生辐射的光电半导体芯片的接 触结构的方法的其它有利的实施方式是从属权利要求的内容。

在下文中，参考附图详细说明光电半导体芯片以及制造适于产生 辐射的光电半导体芯片的接触结构的方法的实施方式。其中：

图1是光电半导体芯片的实施方式的示意性横截面视图，

图2是光电半导体芯片的其它实施方式的示意性横截面视图，

图3是光电半导体芯片的其它实施方式的示意性横截面视图，

图4在图4A和4B中示意性示出光电半导体芯片的实施方式的半导 体俯视图，

图5在图5A至5D中示出了根据本发明用于制造适于产生辐射的光 电半导体芯片的接触结构的方法的实施示例，以及

图6在图6A至6D中示出了根据本发明用于制造适于产生辐射的光 电半导体芯片的接触结构的方法的其它实施示例。

图1和2分别示出了光电半导体芯片(例如LED芯片)的不同实施示 例的示意性横截面图。

半导体芯片1分别具有半导体主体2，该半导体主体2包括具有适 于产生辐射的有源区3的半导体层组(Halbleiterschichtenfolge)。半导体 层组(优选为外延的)例如通过MOVPE(有机金属汽相外延)生长在生长 衬底(未精确描述)上，此外还包括阻挡层5。在图1和图2所示的半导体 芯片的实施方式中，阻挡层构造为连续的层。

在半导体主体2上设置有辐射能穿透且导电的接触层6，该接触层 6即相邻于设置在阻挡层5上、布设于半导体主体2上且局部空出来 (ausgespart)的连接层4，也相邻于阻挡层5。连接层4可例如通过物理沉 积方法如溅射工艺来布设。

电极14设置在半导体芯片1的半导体主体上的有源区3与阻挡层5 相对的一侧上并且尤其设置在半导体主体2的上侧13上。如图4A所示， 电极14具有连接区140。该连接区140优选地利用接合线电联接并且可 相应地构造为接合垫。此外，电极可具有多个与连接区140导电联接 的段141，以实现从连接区出发通过半导体主体的上侧13的电流扩展 (在图1和图2中未精确描述，在此见图4)。通过连接区，半导体芯片1 可与外部连接导体例如导体架或电路板导电联接。电极14可实施为金 属(Metallisierung)。

在接触层到连接层的直接机械接触区中，构造电接触区7，通过 该电接触区7，接触层6与有源区3导电联接。接触层6到阻挡层5的直 接机械接触区中，构造电阻挡区8。