[发明专利]半导体器件的检查方法与半导体器件的检查装置

摘要

对于由检查的半导体器件结构中配备的扩散区域形成的结构A，照射脉冲激光时产生的电磁波振幅波形的强度，与预先测定的对基准品的结构A照射脉冲激光时发出的电磁波振幅波形的强度进行比较，校正电磁波检测灵敏度(S14)后，对检查对象的半导体器件进行检查，从而，消除了由于检查装置的电磁波检测灵敏度偏差而造成的测定误差，进行高精度的好坏判定(S16)。

主权项

1.一种半导体器件的检查方法，其特征在于，包括：用脉冲激光照射保持无偏压状态并具有多个扩散区域的检查对象的半导体器件中的任意扩散区域的照射工序；检测从所述半导体器件的激光照射位置发射出的电磁波、并变换成与所述电磁波的电场振幅的时间波形相对应的随时间变化的电压信号的检测·变换工序；以及根据所述电压信号检测所述半导体器件内部的电场分布并进行故障诊断的故障诊断工序，在该半导体器件的检查方法中，把在检查对象的半导体器件中具备的只与至少1根布线连接的所述电磁波的检测灵敏度的校正用扩散区域使用所述脉冲激光照射时产生的所述电磁波的电场振幅的第1时间波形，与在作为基准品的半导体器件中具备的所述校正用扩散区域使用所述脉冲激光照射时产生的所述电磁波的电场振幅的第2时间波形进行比较，校正所述电磁波的检测灵敏度，使得所述第1时间波形的电磁波振幅强度的最大值与所述第2时间波形的电磁波振幅强度的最大值相同，之后，对作为所述检查对象的半导体器件进行检查。