[发明专利]半导体器件的检查方法与半导体器件的检查装置

权利要求书

1.一种半导体器件的检查方法，其特征在于，包括：

用脉冲激光照射保持无偏压状态并具有多个扩散区域的检查对象的半导体器件中的任意扩散区域的照射工序；

检测从所述半导体器件的激光照射位置发射出的电磁波、并变换成与所述电磁波的电场振幅的时间波形相对应的随时间变化的电压信号的检测及变换工序；以及

根据所述电压信号检测所述半导体器件内部的电场分布并进行故障诊断的故障诊断工序，

在该半导体器件的检查方法中，

把在作为检查对象的半导体器件中具备的只与至少1根布线连接的所述电磁波的检测灵敏度的校正用扩散区域使用所述脉冲激光照射时产生的所述电磁波的电场振幅的第1时间波形，与在作为基准品的半导体器件中具备的所述校正用扩散区域使用所述脉冲激光照射时产生的所述电磁波的电场振幅的第2时间波形进行比较，

校正所述电磁波的检测灵敏度，使得所述第1时间波形的电磁波振幅强度的最大值与所述第2时间波形的电磁波振幅强度的最大值相同，之后，对作为所述检查对象的半导体器件进行检查。

2.如权利要求1所述的半导体器件的检查方法，其特征在于，

所述电磁波的检测灵敏度校正用的扩散区域，没有与所述半导体器件具有的所述多个扩散区域电连接。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件的检查方法，其特征在于，

在所述电磁波的检测灵敏度的校正中，利用使得所述第1时间波形与所述第2时间波形的电磁波振幅波形在特定时间的电磁波振幅强度的值相同而进行校正，来代替注重于电磁波振幅强度的最大值而进行的校正。

4.一种半导体器件的检查装置，其特征在于，包括：

用具有规定波长的脉冲激光二维地扫描并照射保持无偏压状态的半导体器件的照射装置；

检测从所述半导体器件的激光照射位置发射出的电磁波、并变换成为与所述电磁波的电场振幅的时间波形相对应的随时间变化的电压信号的检测及变换装置；

根据所述电压信号检测所述半导体器件内部的电场分布并进行故障诊断的故障诊断装置；以及

在所述照射装置的脉冲激光照射范围内配置的电磁波灵敏度校正用的半导体器件，

该半导体器件的检查装置能够对将脉冲激光照射电磁波灵敏度校正用的半导体器件时产生的所述电磁波的检测灵敏度进行校正，使得所述电磁波的检测灵敏度在零部件交换前后相同。