[发明专利]半导体器件的检查方法与半导体器件的检查装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的检查方法与半导体器件的检查装置，是以在基板上形成电子电路的半导体器件为检查对象，检测该半导体器件中的断线等缺陷，从而检查半导体器件的好坏。

背景技术

安装于电子零部件的半导体器件中形成许多电子电路，作为对于形成上述电子电路的制造途中产生的断线等以非接触的方式进行检查的非接触检查方法，以往如专利文献1中所示，有检查pn结的缺陷、布线断线、短路、高电阻位置等。

以往的非接触检查方法，是如图13所示，对设置于载物台108上的半导体器件内的构成MOS晶体管等的p型或n型扩散区域101、102或金属半导体界面等的内部电场发生部，用脉冲激光110照射，通过检测向自由空间发射的电磁波来进行的。103表示基板，104表示绝缘膜，105、106、107表示布线。

用这种方法，检测从脉冲激光照射位置发出的电磁波，变换成为与电磁波的电场振幅的时间波形相对应的随时间变化的电压信号，检测半导体器件内部的电场分布，从而对半导体器件进行故障诊断。

具体地说，如图14所示，在S1中，利用脉冲激光照射检查对象中规定的检查区域，获得向自由空间发射的电磁波的振幅波形。

在S2中，将S1中获得的电磁波的振幅波形，通过与预先测定获得的合格品从上述规定的检查区域发出的电磁波振幅波形比较，进行好坏判断。

图15表示用脉冲激光照射某一半导体电路时产生的电磁波振幅波形。如果假设从合格品的规定的检查位置产生的电磁波振幅波形是图15中所示的波形，则例如，对于在时间：T上的电磁波振幅波形的最大值：V，与作为检查对象的半导体器件中从上述规定检查位置产生的电磁波振幅波形的最大值进行比较，从而判断半导体器件的好坏。

虽然好坏判断的基准会随所需检查项目的不同而不同，但是由于脉冲激光照射位置的结构的不同，多数情况下所产生的电磁波振幅波形的最大值或最小值不同，所以比较产生的电磁波振幅波形的最大值或最小值，如果与基准品的相应值不同，就会认为是该检查对象的半导体器件有故障。

专利文献1：特开2006-24774号公报

但是，对于上述以往的结构，存在的问题是，由于检查对象的半导体器件的更好、对半导体器件的激光照射角度的变化或电磁波检测器的更换等，会引起可检测的电磁波振幅强度显著降低。

例如，对于产生如图15所示的电磁波振幅波形的半导体器件的结构，将图13中的半导体器件从载物台108上取下后重新设置，当测定相同位置时，由于控制机器的灵敏度变化或对半导体器件的激光照射角度变化等某种原因，有时会检测到如图16所示的电磁波振幅波形。

但是，若重新调整构成检查装置的光学零部件或控制装置，进行灵敏度校正，就可以获得与图15同等的电磁波振幅波形。

因此，对于某一检查区域，如果单纯地将测定结果的电磁波振幅强度与合格品的电磁波振幅强度进行比较，由于检查装置的校正不充分而产生电磁波振幅强度的差异，可能使得本来是合格品的位置被误判成为故障位置。

为了进行检查装置的灵敏度校正，在脉冲激光照射时，需要产生确实稳定的电磁波振幅波形的对象、亦即作为基准的测定物，但是，从满足该条件的材料如InAs的晶体发射的电磁波振幅，具有比从通用的硅基板构成的半导体器件所产生的电磁波振幅大10倍以上的强度，所以即使利用这些材料实施灵敏度校正，也有可能为了检测半导体器件产生的电磁波振幅波形、而无法实施高精度的灵敏度校正。

本发明旨在解决上述以往技术的问题，其目的在于提供一种半导体器件的检查方法和检查装置，使得在对半导体器件照射脉冲激光时，可以防止由于电磁波振幅强度的比较误差而引起的半导体器件好坏的误判。

发明内容