[实用新型]晶圆承载装置无效
| 申请号： | 200820130058.8 | 申请日： | 2008-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN201311921Y | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 刘奎江;陈力山;陈英信 | 申请（专利权）人： | 力鼎精密股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种晶圆承载装置，应用于晶圆溅镀或蚀刻制程，其通过一半开放式的连续沟槽导入一制程气体以直接对晶圆加温或冷却，此制程气体经由至少一泄气口进入并均匀分布于半导体制程室内。此晶圆承载装置包括一载盘以及一气管，其中载盘包括一连续沟槽、一供气口、以及至少一泄气口，而气管则连接于供气口。连续沟槽分别连接于供气口与泄气口，连续沟槽又具有一顶面，此顶面面接于载盘上承载的一晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 承载 装置 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括：一载盘，该载盘包括一连续沟槽，一供气口，以及至少一泄气口，其中该连续沟槽分别连接于该供气口与所述的泄气口；以及一气管，连接于该供气口；其中，当该载盘上承载一晶圆时，该连续沟槽的一顶面为该晶圆所覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
