[实用新型]晶圆承载装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶圆承载装置，特别是有关于一种适用在晶圆溅镀制程室或晶圆蚀刻制程室的晶圆承载装置。

背景技术

一般而言，蚀刻或沉积等晶圆半导体制程进行于半导体制程室中，其中晶圆设置于半导体制程室中的载盘上。如图1所示的现有半导体制程室10，其中包括一真空腔11，一载盘12，一管线13，一承载装置14，以及一气体导入装置15。载盘12设置于真空腔11内且连接于承载装置14，管线13设置于载盘12与承载装置14内，而气体导入装置15则外接于真空腔11。一工作流体(图式未显示)导入管线13用以冷却或加温晶圆，一制程气体(图式未显示)则经由气体导入装置15进入真空腔11以利制程进行。

其中，管线13常须清洁以保持加温或冷却效率，设备维护繁琐。外接的气体导入装置15不但须与真空腔11保持气密连接，制程进行中更需维持相关设备的正常运作，设备操作与维护皆耗时耗力。此外，气体导入装置15通常设计为单一进气口，所以制程气体进入真空腔11后须一段时间才达到平均分布的效果，在分秒必争的高效率制程要求下，如何缩短平均分布所需时间为制程室设计重点。由上可知，提供一具有方便清洁保养、成本经济、与制程气体快速分布真空腔内的晶圆承载装置便成为半导体制程室相关技术的重要课题之一。

发明内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种晶圆承载装置，特别是应用于晶圆溅镀或蚀刻制程的一种晶圆承载装置，其中通过一半开放式的连续沟槽导入一制程气体以直接对晶圆快速加温或冷却，并通过至少一泄气口使制程气体能快速进入并均匀分布于半导体制程室内。

为达上述目的，本实用新型提供一种晶圆承载装置，包括：一载盘，该载盘包括一连续沟槽，一供气口，以及至少一泄气口，其中该连续沟槽分别连接于该供气口与所述的泄气口；以及一气管，连接于该供气口；其中，当该载盘上承载一晶圆时，该连续沟槽的一顶面为该晶圆所覆盖。

根据本实用新型，提供一种晶圆承载装置，其中包括一载盘以及一气管，其中载盘包括一连续沟槽、一供气口、以及至少一泄气口。连续沟槽分别连接于供气口与泄气口，而气管连接于供气口。连续沟槽又具有一顶面，此顶面面接于载盘上承载的一晶圆。

本实用新型具有以下有益技术效果：本实用新型通过一半开放式的连续沟槽导入一制程气体以直接对晶圆快速加温或冷却，并通过至少一泄气口使制程气体能快速进入并均匀分布于半导体制程室内，可方便清洁保养、降低成本经济。

附图说明

图1为现有半导体制程室的示意图；

图2为根据本实用新型的一较佳实施例，一种晶圆承载装置的剖面示意图；

图3为根据本实用新型的一较佳实施例，一种晶圆承载装置的立体示意图。

图中符号说明

10现有半导体制程室；

11真空腔；

12载盘；

13管线；

14承载装置；

15气体导入装置；

20晶圆承载装置；

21载盘；

211供气口；

212连续沟槽；

2121顶面；

213泄气口；

22气管；

23晶圆；

24半导体制程室；

25连续供气系统。

具体实施方式

以下以具体的实施例，对本实用新型揭示的各形态内容加以详细说明。

参照图2，图2为根据本实用新型所提供的一种晶圆承载装置20的剖面示意图，包括一载盘21以及一气管22，其中载盘21包括一供气口211、一连续沟槽212、以及至少一泄气口213。连续沟槽212分别连接于供气口211与泄气口213，而气管连接于供气口211。连续沟槽212为一半开放式的沟槽，连续沟槽212又具有一顶面2121，此顶面2121面接于载盘21上承载的一晶圆23使连续沟槽212成为一封闭式的沟槽，而气管22、供气口211、连续沟槽212、以及泄气口213依序连接形成一连续供气系统25。其中，晶圆承载装置20设置于一半导体制程室24内，一制程气体(图式未显示)由下而上经由连续供气系统25进入半导体制程室24。