[实用新型]晶圆承载装置无效
| 申请号: | 200820130058.8 | 申请日: | 2008-09-08 |
| 公开(公告)号: | CN201311921Y | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
| 发明(设计)人: | 刘奎江;陈力山;陈英信 | 申请(专利权)人: | 力鼎精密股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 承载 装置 | ||
1.一种晶圆承载装置,其特征在于,包括:
一载盘,该载盘包括一连续沟槽,一供气口,以及至少一泄气口,其中该连续沟槽分别连接于该供气口与所述的泄气口;以及
一气管,连接于该供气口;
其中,当该载盘上承载一晶圆时,该连续沟槽的一顶面为该晶圆所覆盖。
2.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,该气管,该供气口,该连续沟槽,以及所述的泄气口依序连接成一连通结构,形成一连续供气系统。
3.如权利要求2所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述的泄气口等距设置于该载盘的一侧边,以将制程气体分布于一半导体制程室中。
4.如权利要求3所述的晶圆承载装置,其特征在于,该制程气体为氩气,氮气,或氧气。
5.如权利要求4所述的晶圆承载装置,其特征在于,该制程气体热传导接触于该晶圆,以加温或冷却该晶圆。
6.如权利要求3所述的晶圆承载装置,其特征在于,该半导体制程室为一沉积反应室或一蚀刻反应室。
7.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,该载盘为一不锈钢载盘或一铝合金载盘。
8.如权利要求7所述的晶圆承载装置,其特征在于,该不锈钢为SUS304不锈钢。
9.如权利要求7所述的晶圆承载装置,其特征在于,该铝合金为包含表面阳极处理的AL6061-T6铝合金。
10.如权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,该连续沟槽具有一连续环状的几何形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





