[实用新型]化学气相沉积设备及其晶舟有效
| 申请号： | 200820123067.4 | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN201347452Y | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 赵星;翟立君 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董立闽;李 丽 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种化学气相沉积设备，包括炉管和放置于所述炉管内的晶舟，所述晶舟包括第一端部和与所述第一端部相对的第二端部，在所述第一端部和第二端部之间具有多个相互平行的、用于放置晶片的晶片插槽，且每个所述晶片插槽具有至少两个相互分离、用于支撑晶片的支撑架，其中，每一个所述支撑架所在的平面向所述第一端部所在的平面倾斜第一角度。本实用新型还公开了对应的一种应用于化学气相沉积设备的晶舟。采用本实用新型的化学气相沉积设备及其晶舟，可以有效解决晶片在化学气相沉积后水平检测不过关的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 沉积 设备 及其 | ||
【主权项】：
1、一种化学气相沉积设备，包括炉管和放置于所述炉管内的晶舟，所述晶舟包括第一端部和与所述第一端部相对的第二端部，在所述第一端部和第二端部之间具有多个相互平行的、用于放置晶片的晶片插槽，且每个所述晶片插槽具有至少两个相互分离、用于支撑晶片的支撑架，其特征在于：每一个所述支撑架所在的平面向所述第一端部所在的平面倾斜第一角度。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
