[实用新型]化学气相沉积设备及其晶舟

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种化学气相沉积设备及其晶舟。

背景技术

半导体集成电路芯片的工艺制作利用批量处理技术，在同一硅晶片上形成大量各种类型的复杂器件，并将其互相连接以具有完整的电子功能。其中，任一步工艺中所产生的缺陷，都可能会导致电路的制作失败。

随着超大规模集成电路(ULSI，Ultra Large Scale Integration)的迅速发展，芯片的集成度越来越高，器件的尺寸越来越小，相应地，在工艺制作中产生的足以影响器件成品率的缺陷的尺寸越来越小，给半导体器件的制作提出了更高的要求。一些在大尺寸器件制作过程中无关紧要的因素，在小尺寸器件制作过程中却可能会对器件的成品率等带来较大的影响。

以化学气相沉积工艺为例，当器件尺寸缩小至90nm技术结点以下时，为提高光刻的精度，对晶片的水平度要求相应地提高了。但在对经过化学气相沉积处理的晶片进行水平检测时，往往出现检测失败的现象。图1为现有的化学沉积多晶硅薄膜后的晶片的水平检测结果图，如图1所示，晶片100上的区域101明显不平，导致该晶片水平检测不过关。

上述晶片水平检测不过关表明晶片表面凹凸不平，这会使得光刻时晶片各区域适宜的聚焦值不相同，易出现失焦问题，进而导致光刻后图形不清晰，甚至出现形变，影响到器件的性能及成品率。

2004年3月24日公开的公开号为CN1484069的中国专利公开了一种制造薄膜晶体管液晶显示器的绝缘薄膜的组合设备，其设置转移系统位于晶舟站与化学气相沉积装置之间，清洗室邻近转移系统。其可以实现：当晶片从晶舟站由转移系统进入化学气相沉积装置后，先进行第一次沉积，以沉积约预定厚度的一半的绝缘薄膜；然后，晶片再由转移系统进入清洗室中，以湿式清洗将绝缘薄膜中的微粒清除；之后，再由转移系统进入化学气相沉积装置进行第二次沉积，以补足预定厚度的绝缘薄膜。该中国专利提出的设备可以减少形成的绝缘薄膜内的残留微粒，但对于上述晶片水平检测不过关的问题没有明显改善。

实用新型内容

本实用新型提供一种化学气相沉积设备及其晶舟，以改善现有化学气相沉积后晶片水平检测不过关的现象。

为达到上述目的，本实用新型提供的一种化学气相沉积设备，包括炉管和放置于所述炉管内的晶舟，所述晶舟包括第一端部和与所述第一端部相对的第二端部，在所述第一端部和第二端部之间具有多个相互平行的、用于放置晶片的晶片插槽，且每个所述晶片插槽具有至少两个相互分离、用于支撑晶片的支撑架，其中，每一个所述支撑架所在的平面向所述第一端部所在的平面倾斜第一角度。

本实用新型具有相同或相应技术特征的一种用于化学气相沉积设备的晶舟，包括第一端部和与所述第一端部相对的第二端部，在所述第一端部和第二端部之间具有多个相互平行的、用于放置晶片的晶片插槽，且每个所述晶片插槽具有至少两个相互分离、用于支撑晶片的支撑架，其中，每一个所述支撑架所在的平面向所述第一端部所在的平面倾斜第一角度。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

本实用新型的化学气相沉积设备及其晶舟，通过将晶片插槽的支撑架所在的平面向第一端部所在的平面倾斜一定角度，减小了晶片与支撑架之间的接触面积，改善了晶片背面的薄膜形成条件，防止薄膜在晶片与支撑架的接触区域附近沉积过厚，进而有效地解决了晶片在化学气相沉积后水平检测不过关的问题。

附图说明

图1为现有的化学沉积多晶硅薄膜后的晶片的水平检测结果图；

图2为现有的低压化学气相沉积设备的示意图；

图3为现有的化学气相沉积设备中晶舟与晶片间的接触示意图；

图4为本实用新型具体实施例中晶舟内侧壁的放大示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。

本实用新型中的设备或装置可以被广泛地应用于各个领域中，并且可利用许多适当的材料制作，下面是通过具体的实施例来加以说明，当然本实用新型并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替换无疑地涵盖在本实用新型的保护范围内。

其次，本实用新型利用示意图进行了详细描述，在详述本实用新型实施例时，为了便于说明，表示结构的示意图会不依一般比例作局部放大，不应以此作为对本实用新型的限定，此外，在实际的制作中，应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。