[实用新型]一种MOS管驱动电路无效
申请号: | 200820094566.5 | 申请日: | 2008-06-06 |
公开(公告)号: | CN201210669Y | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 黄奔驰;李斌家 | 申请(专利权)人: | 深圳创维-RGB电子有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H03K17/08;H03K17/16 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 | 代理人: | 胡朝阳;孙洁敏 |
地址: | 518000广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型一种MOS管驱动电路,包括有MOS管、驱动该MOS管的驱动信号、连接驱动信号的延时单元、三极管Q1、三极管Q2,以及通过电阻R1与延时单元连接的三极管Q3;其中,驱动信号通过电阻R2与三极管Q1、三极管Q2的基极相连,三极管Q1、三极管Q2的发射极分别通过电阻R3、电阻R4连接至MOS管的栅极,而三极管Q3的发射极通过电阻R5连接至MOS管的栅极,通过切换驱动电流来抑制MOS管在开通过程产生的浪涌,减小开通时的噪声,避免使用昂贵的专用驱动芯片,降低了成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 mos 驱动 电路 | ||
【主权项】:
1. 一种MOS管驱动电路,包括有MOS管和驱动该MOS管的驱动信号,其特征在于:还包括有连接驱动信号的延时单元、三极管Q1、三极管Q2,以及通过电阻R1与延时单元连接的三极管Q3;其中,驱动信号通过电阻R2与三极管Q1、三极管Q2的基极相连,三极管Q1、三极管Q2的发射极分别通过电阻R3、电阻R4连接至MOS管的栅极,而三极管Q3的发射极通过电阻R5连接至MOS管的栅极。
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