[实用新型]一种MOS管驱动电路无效
| 申请号： | 200820094566.5 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN201210669Y | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 黄奔驰;李斌家 | 申请（专利权）人： | 深圳创维-RGB电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/08;H03K17/16 |
| 代理公司： | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡朝阳;孙洁敏 |
| 地址： | 518000广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos 驱动 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOS管驱动电路，包括有MOS管和驱动该MOS管的驱动信号，其特征在于：还包括有连接驱动信号的延时单元、三极管Q1、三极管Q2，以及通过电阻R1与延时单元连接的三极管Q3；其中，驱动信号通过电阻R2与三极管Q1、三极管Q2的基极相连，三极管Q1、三极管Q2的发射极分别通过电阻R3、电阻R4连接至MOS管的栅极，而三极管Q3的发射极通过电阻R5连接至MOS管的栅极。
2.如权利要求1所述的MOS管的驱动电路，其特征在于：所述三极管Q1为NPN型，而三极管Q2为PNP型。
3.如权利要求1所述的MOS管的驱动电路，其特征在于：所述三极管Q1和三极管Q3的集电极连接有电源Vcc，而三极管Q2的集电极连接地。
4.如权利要求2或3所述的MOS管的驱动电路，其特征在于：所述MOS管为N型MOS管，其源极连接地，漏极连接有高电压Vin。
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