[实用新型]一种MOS管驱动电路

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及驱动电路技术领域，特别涉及一种MOS管驱动电路。

【背景技术】

在当今的大多数开关电源中都要使用到MOS管，在MOS管的栅极施加一个可调节的驱动信号，通过调节此驱动信号的占空比来控制MOS管的导通和关断时间，从而输出可调节、可控制的电压。一般情况下，从控制芯片输出的控制信号，通过一个电阻连接至MOS管的栅极，从而实现对MOS管的开关控制。然而，在这种情况下，控制芯片给MOS管提供的驱动电流上升很快，容易引起很高的开通浪涌和噪声，从而导致MOS管的损坏，并影响整个开关电源的EMC特性。通常，可以通过在输出控制信号和MOS管的栅极直接增加专用驱动芯片的方法来解决这个问题，但使用这种方法势必造成成本的增加，显然不适合大批量推广使用。

【实用新型内容】

为解决上述问题，本实用新型的主要目的在于提供一种电路简单、且成本较低的MOS管驱动电路，可有效地控制MOS管驱动电流的上升速度，抑制MOS管开通过程中的浪涌和噪声，减少对MOS管的损坏和改善整个开关电源的EMC特性。

为实现上述目的，本创作的技术方案为：

一种MOS管驱动电路，包括有MOS管、驱动该MOS管的驱动信号、连接驱动信号的延时单元、三极管Q1、三极管Q2，以及通过电阻R1与延时单元连接的三极管Q3；其中，驱动信号通过电阻R2与三极管Q1、三极管Q2的基极相连，三极管Q1、三极管Q2的发射极分别通过电阻R3、电阻R4连接至MOS管的栅极，而三极管Q3的发射极通过电阻R5连接至MOS管的栅极。

相较于现有技术，本实用新型MOS管驱动电路通过切换驱动电流来抑制MOS管在开通过程产生的浪涌，减小开通时的噪声，避免使用昂贵的专用驱动芯片，降低了成本。

【附图说明】

图1是本实用新型一种MOS管驱动电路原理图。

【具体实施方式】

请参阅图1所示，本实用新型一种MOS管驱动电路包括有MOS管及驱动此MOS管的驱动信号，该驱动信号通过一个电阻R2与三极管Q1和三极管Q2的基极相连，三极管Q1的发射极通过电阻R3连接至MOS管的栅极，而三极管Q2的发射极通过电阻R4也连接至MOS管的栅极。其中，所述三极管Q1为NPN型，而三极管Q2为PNP型。所述驱动信号同时通过一个延时单元以及电阻R1连接至NPN型三极管Q3的基极，NPN型三极管Q3的发射极通过电阻R5连接至MOS管的栅极。三极管Q1和三极管Q3的集电极连接有电源Vcc，此电压比较低，而三极管Q2的集电极连接地。所述MOS管为N型MOS管，其源极连接地，漏极连接有较高电压Vin。

所述驱动信号为一个可调节占空比的方波信号，通过调节此信号的占空比可控制输出电压。在MOS管开通时，三极管Q2的基极为高电平，三极管Q2截止，而三极管Q1的基极为高电平，三极管Q1导通，MOS管的驱动电流被电阻R3限制在一个较低的数值，由于MOS管输入电容的存在，此电流给输入电容慢慢充电，MOS管的栅极电压慢慢上升。由于延时单元的作用，在延时若干时间后，大约为1uS左右，三极管Q3导通。此时，由于电阻R3和电阻R5并联，为MOS管提供较大的驱动电流，MOS管的栅极电压迅速上升。在正常工作时，MOS管的栅极电压由定电压Vcc提供。在MOS管关断时，三极管Q1、三极管Q3截止，而三极管Q2导通，MOS管的栅极电荷通过一个阻值很小的电阻R4和三极管Q2被迅速泄放。

本创作一种MOS管驱动电路采用切换驱动电流的方式来抑制MOS管在开通过程中产生的浪涌和噪声，达到保护MOS管和改善整个开关电源EMC特性的作用。在开通的一开始，驱动电流被限制在一个较低的数值，随着延时单元的作用，在过了大约1uS后，驱动电流被提高到一个较高的数值，加速给MOS管的栅极输入电容充电，从而减小了在MOS管开通瞬间驱动电流过大而产生浪涌和噪声的弊端，保护了MOS管和改善了EMC特性。其中，所述定电压Vcc为一个较低的直流电压，其作用在于在MOS管正常工作时给MOS管提供一个栅极电压；而所述电压Vin为一个较高的直流电压，通过MOS管的开关作用，在后级产生一个可控制的输出电压。

以上所描述的最佳实施例仅是对本创作进行阐述和说明，但并不局限于所公开的任何具体形式，进行许多修改和变化是可能的。