[发明专利]一种定向凝固生长多晶硅锭工艺无效
| 申请号： | 200810243333.1 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101768775A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 谭文运 | 申请（专利权）人： | 谭文运 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221400江苏省新沂*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种定向凝固生长多晶硅锭工艺，本发明属于半导体材料硅晶体的制备。以高性能的石英坩埚模具，用去离子水等作调料，将经处理的氮化硅粉料调成糊状，作脱模剂，用氩气和氮气为气氛，熔化时模具悬挂，凝固时模具支撑在水冷却的下转轴上，在下降模具的同时增大冷却水流速，使熔硅从模具底开始定向凝固。使用本发明可得无气孔、无裂缝的完整方锭，晶粒呈柱状，晶宽达毫米级，掺杂可控，制作的太阳能电池性能良好，全面积转换效率最佳值达11.3％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 定向 凝固 生长 多晶 工艺 | ||
【主权项】：
一种使用涂有脱模剂的石英陶瓷坩埚以定向凝固法生长用于太阳能电池的多晶硅锭的工艺，其特征在于采用涂有高纯度的氮化硅脱模剂的石英陶瓷坩埚，在多晶硅锭的耐高温性能，在下移磨具的同时以水冷却方式调节多晶硅锭生长所需的热场，得到无气孔、无裂缝、高纯度的完整的多晶硅锭。
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