[发明专利]一种定向凝固生长多晶硅锭工艺无效
| 申请号: | 200810243333.1 | 申请日: | 2008-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN101768775A | 公开(公告)日: | 2010-07-07 |
| 发明(设计)人: | 谭文运 | 申请(专利权)人: | 谭文运 |
| 主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 221400江苏省新沂*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 定向 凝固 生长 多晶 工艺 | ||
1.一种使用涂有脱模剂的石英陶瓷坩埚以定向凝固法生长用于太阳能电池的多晶硅锭的工艺,其特征在于采用涂有高纯度的氮化硅脱模剂的石英陶瓷坩埚,在多晶硅锭的耐高温性能,在下移磨具的同时以水冷却方式调节多晶硅锭生长所需的热场,得到无气孔、无裂缝、高纯度的完整的多晶硅锭。
2.根据权利要求1所述的多晶硅锭生长工艺,其特征在于所说的脱模剂氮化硅是将硅粉经混合酸的水溶液浸泡,在氮化硅籽粉催化下高温淡化、研细、混合酸的水溶液的再浸泡后得到的高纯度的氮化硅。
3.根据权利要求2所述的多晶硅锭生长工艺,其特征在于所说的混合酸水溶液由盐酸、硝酸和水组成。
4.根据权利要求2或3所述的多晶硅锭生长工艺,其特征在于所说的氮化硅涂料由高纯度氮化硅粉料和调料去离子或含重量百分比为0.05%至5%的经阳离子交换树脂提纯的聚乙烯醇的水溶液调制而成。
5.根据权利要求1所述的多晶硅锭生长工艺,其特征在于所说的提高氮化硅耐高温性能是充入了0.1至4公斤的分压的高纯氨气而实现的。
6.根据权利要求5所述的多晶硅锭生长工艺,其特征在于溶化时模具悬挂,凝固时模具支撑在水冷却的下转轴上,所需热场的调节由下移模具和同时调节冷却水流速的方式达到。
7.一种用于权利要求1所述的多晶硅锭生长工艺的石英陶瓷坩埚模具,其特征在于模具由高纯度、高强度、高细密性的石英烧制而成,其形状可为方柱筒形,模具尺寸应与熔铸炉炉膛相匹配。
8.根据权利要求7所述的石英陶瓷坩埚模具,其特征在于所说的方柱筒形模具由上顶板7、石英陶瓷坩埚二块石英陶瓷组件和石英陶瓷螺栓组成。
9.根据权利要求8所述的组合式石英陶瓷坩埚模具,其特征在于所说的上顶板7与石英陶瓷坩埚的联接由沟槽嵌合和石英陶瓷螺栓固定。
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