[发明专利]荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法无效

专利信息
申请号: 200810242986.8 申请日: 2008-12-31
公开(公告)号: CN101441963A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 丁建芳;刘凯;樊兆雯;朱立锋;张雄;林青园;王保平 申请(专利权)人: 南京华显高科有限公司
主分类号: H01J9/00 分类号: H01J9/00
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 代理人: 夏 平
地址: 210061江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法,在布置好电极线的玻璃基板(1)上显示区域涂覆介质浆料并采用低温烧成得到非透明的介质层(6),在该介质层(6)上贴覆具有光敏特性的干膜,通过光刻工艺在干膜上制作掩模图形(7);采用喷砂工艺利用介质材料和掩膜图形(7)的选择性刻蚀形成带有图形的介质层(6),该介质图形只覆盖在面板上显示区域电极线的两侧及顶端。本发明的等离子显示面板上介质层的制作方法具有生产成本低,无需高温烧成、面板黄化现象减弱,耐压性能好,透光率高的优点。
搜索关键词: 荫罩式 等离子 显示器 前基板 介质 制作方法
【主权项】:
1、一种荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法,其特征是它包括以下步骤:(a). 在布置好带有图形的电极(4)的玻璃基板(1)的显示区域涂覆介质浆料,然后放在平整的台面上流平使玻璃基板(1)表面各处的介质浆料均匀,烘干介质浆料;(b). 对带有介质浆料的玻璃基板(1)进行烧结,得到带有介质层(6)的玻璃基板(1);(c). 在介质层(6)上贴覆干膜,通过光刻工艺在干膜上形成与电极(4)图形相匹配的掩模图形(7),掩模图形(7)的各线条宽度是电极(4)的各线条宽度加上一个d值,d的取值范围在0-50μm;(d). 对带有掩模图形(7)的介质层(6)进行喷砂,去除电极(4)间的介质,形成与电极相匹配的带有图形的介质层(6);(e)用喷淋溶液对带有图形介质层(6)的玻璃基板(1)进行喷淋,溶解除去掩模图形(7)得到介质层仅覆盖电极(4)周边的前基板介质层。
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