[发明专利]荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法无效
| 申请号： | 200810242986.8 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101441963A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 丁建芳;刘凯;樊兆雯;朱立锋;张雄;林青园;王保平 | 申请（专利权）人： | 南京华显高科有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/00 | 分类号： | H01J9/00 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 夏 平 |
| 地址： | 210061江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荫罩式 等离子 显示器 前基板 介质 制作方法 | ||
1.一种荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法，其特征是它包括以下步骤：
(a).在布置好带有图形的电极(4)的玻璃基板(1)的显示区域涂覆介质浆料，然后放在平整的台面上流平使玻璃基板(1)表面各处的介质浆料均匀，烘干介质浆料；
(b).对带有介质浆料的玻璃基板(1)进行烧结，得到带有介质层(6)的玻璃基板(1)；
(c).在介质层(6)上贴覆干膜，通过光刻工艺在干膜上形成与电极(4)图形相匹配的掩模图形(7)，掩模图形(7)的各线条宽度是电极(4)的各线条宽度加上一个d值，d的取值范围在0-50μm；
(d).对带有掩模图形(7)的介质层(6)进行喷砂，去除电极(4)间的介质，形成与电极相匹配的带有图形的介质层(6)；
(e).用喷淋溶液对带有图形介质层(6)的玻璃基板(1)进行喷淋，溶解除去掩模图形(7)得到介质层仅覆盖电极(4)周边的前基板介质层。
2.根据权利要求1所述的荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法，其特征是所述的烧结温度是550℃，时间是10-60min。
3.根据权利要求1所述的荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法，其特征是所述的涂覆的介质浆料层的湿膜厚度为40-100μm，烧结后的介质层厚度为25-40μm。
4.根据权利要求1所述的荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法，其特征是所述的d值为10μm。
5.根据权利要求3所述的荫罩式等离子显示器前基板介质层制作方法，其特征是所述的烧结时间是30min。
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