[发明专利]一种多级降压收集极双层电极及制备工艺无效
| 申请号： | 200810238872.6 | 申请日： | 2008-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101752168A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 赵建东;吕京京 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J23/027 | 分类号： | H01J23/027;H01J9/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多级降压收集极双层电极及制备工艺，涉及真空器件技术，包括金属层、石墨层，两层间相对表面紧密固接；其中，石墨层材料为热解石墨或高密度各向同性石墨。该电极可以利用外层电极保证与陶瓷或其它金属的气密封接，而其内层的热解石墨或高密度各向同性石墨具有很低的二次电子发射系数，有利于提高多级降压收集极的效率。该制备工艺，采用涂敷、烧结技术，简单、牢固。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多级 降压 收集 双层 电极 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种多级降压收集极双层电极，其特征在于，包括金属层、石墨层，两层间相对表面紧密固接；其中，石墨层材料为热解石墨或高密度各向同性石墨。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电子学研究所，未经中国科学院电子学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810238872.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
