[发明专利]一种多级降压收集极双层电极及制备工艺

说明书

技术领域

本发明涉及真空器件技术领域，是一种多级降压收集极双层电极及制备工艺。

背景技术

行波管是微波电真空器件家族的重要成员之一，在电子对抗、电子战、雷达、气象观测与空间测量及卫星通信等领域具有广泛的应用。一般说来，各种应用对行波管等器件的要求不尽相同。但是，总的来说，更高的功率和更高的效率是各种应用所呈现出来的共同趋势。特别是对于空间测量及卫星通信的空间行波管，由于能量供应的有限性，提高行波管的效率成为行波管研制与生产首先要关注的问题。

众所周知，多级降压收集极可以大大提高行波管等真空电子器件的效率。当然，多级降压收集极的概念早在上个世纪40年代就提出了，但在上个世纪60年代后才获得了较广泛的应用。在上个世纪末，国外陆续发表了一些关于多级降压收集极的报告或论文。在这个时期，多级降压收集极获得了更广泛的应用，使得行波管的总体效率从原来的20％～30％提高到40％～55％。本世纪开始后，由于行波管在空间运用中显示出巨大潜力，为了进一步提高行波管的效率，对多级降压收集极的研究进入到了一个新的高潮。

综观针对多级降压收集极的研究，至少包括了两个方面。第一方面的工作是通过计算机模拟，确定最佳的收集极构型和收集极结构。对于这方面的工作，美国NASA Lewis Research Center公开发表了较多的文献(Henry G.Kosmahl.Modern multistage depressed collectors—areview.The proceedings of the IEEE，70(11)：1325-1334，1982)。在早期的相关研究中，国外的研究单位一般都使用自己的专用软件开展工作，而国内只能依靠经验进行概念设计。经过多年的发展，国外软件如Egun、Tau及国内软件TWTCAD可以进行降压收集极的设计计算，但这些软件都还存在这样那样的缺点。由于这一方面与本发明的关系不大，因此不再详细讨论。

第二方面的工作是通过各种研究手段寻求二次电子发射系数更小的电极材料。对此国外有过大量的工作^[2-4]，但在国内开展过的研究很少。国外的研究成果大致可以综述如下：

(1)通过溅射法在无氧铜电极上制备碳化钽薄膜能够略微降低电极的二次电子发射系数，从而改善多级降压收集极的效率。

(2)利用离子流轰击无氧铜电极，可以在无氧铜电极刻蚀出凸凹不平的纹路，从而降低二次电子发射系数，并改善多级降压收集极的效率。

(3)直接采用经过表面处理或未经表面处理的具有各向异性性质的热解石墨作为电极。由于这种材料本身的二次电子发射系数比无氧铜小得多，因此可以有效改善多级降压收集极的效率。

(4)直接采用高密度各向同性石墨作为电极。高密度各向同性石墨的二次电子发射性能则与其是否经过表面处理有很大关系。对于没有经过表面处理的高密度各向同性石墨，其真二次电子的发射系数虽然比无氧铜低，但直接反射电子的反射系数仍然较大。而对于经离子流轰击过的高密度各向同性石墨电极，则无论真二次电子的发射系数还是反射电子系数都远小于无氧铜。

后列表1给出了无氧铜和热解石墨的二次电子发射系数，而后列表2给出了高密度各向同性石墨的二次电子发射系数。

表1 无氧铜与热解石墨的二次电子发射系数(实验数值)(Arthur N.Curren，.Carbon and carbon-coated electodes formultistage depressed collectors for electron beam devices—atechnology review.IEEE Transaction onelectron devices，33(11)：1902-1924，1986)。

(δ：电子垂直于表面入射时的真二次电子发射系数；

π：电子垂直于表面入射时的反射电子发射系数)

表2 覆碳无氧铜与高密度各向同性石墨的二次电子发射系数(实验数值)(Arthur N.Curren，.Carbon and carbon-coated electodes formultistage depressed collectors for electron beam devices—atechnology review.IEEE Transaction onelectron devices，33(11)：1902-1924，1986)。

(δ：电子垂直于表面入射时的真二次电子发射系数；