[发明专利]一种基于金属覆盖层的负折射人工材料有效

专利信息
申请号: 200810227029.8 申请日: 2008-11-19
公开(公告)号: CN101424758A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 罗先刚;胡承刚;赵泽宇;陈旭南 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18;G02B1/10;G03F7/00;C23C14/24;C23C14/18
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 代理人: 贾玉忠;卢 纪
地址: 610209*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种基于金属覆盖层的负折射人工材料,其特征包括以下步骤:(1)选择石英基片,并将其表面抛光;然后在其表面蒸镀一层高纯SiO2膜;(2)在高纯SiO2膜表面蒸镀一层铬膜,并在其上均匀涂覆一层光刻胶;(3)采用电子束光刻的方法,在光刻胶上制备出介质光栅结构;(4)采用湿法腐蚀技术,将光刻胶作为掩模,腐蚀掉裸露在外的铬膜;(5)采用干法腐蚀技术,将铬膜作为掩模,在高纯SiO2膜上刻蚀出介质光栅结构,去除铬膜;(6)采用真空蒸镀技术,在SiO2光栅结构上蒸镀厚度为h的金属层,基于金属覆盖层的负折射人工材料制作完成。本发明具有制作简便,单层损耗小,单层正入射的特性,在磁共振、近场光学、隐身材料等领域具有很大的应用前景。
搜索关键词: 一种 基于 金属 覆盖层 折射 人工 材料
【主权项】:
1、一种基于金属覆盖层的负折射人工材料,其特征包括以下步骤:(1)选择石英基片,并将其表面抛光;然后在其表面蒸镀一层高纯SiO2膜;(2)在高纯SiO2膜表面蒸镀一层铬膜,然后在铬膜上均匀涂覆一层光刻胶;(3)采用电子束光刻的方法,在光刻胶上制备出介质光栅结构;(4)采用湿法腐蚀技术,将光刻胶作为掩模,腐蚀掉裸露在外的铬膜;(5)采用干法腐蚀技术,将铬膜作为掩模,在高纯SiO2膜上刻蚀出介质光栅结构,去除铬膜;(6)采用真空蒸镀技术,在SiO2光栅结构上蒸镀厚度为h的金属层,一种基于金属覆盖层的负折射人工材料制作完成。
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