[发明专利]一种基于金属覆盖层的负折射人工材料有效
申请号: | 200810227029.8 | 申请日: | 2008-11-19 |
公开(公告)号: | CN101424758A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 罗先刚;胡承刚;赵泽宇;陈旭南 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
主分类号: | G02B5/18 | 分类号: | G02B5/18;G02B1/10;G03F7/00;C23C14/24;C23C14/18 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人: | 贾玉忠;卢 纪 |
地址: | 610209*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 金属 覆盖层 折射 人工 材料 | ||
1.一种制作基于金属覆盖层的负折射人工材料的方法,其特征包括以下步骤:
(1)选择石英基片,并将其表面抛光;然后在其表面蒸镀一层SiO2膜;
(2)在SiO2膜表面蒸镀一层铬膜,然后在铬膜上均匀涂覆一层光刻胶;
(3)采用电子束光刻的方法,在光刻胶上制备出介质光栅结构;
(4)采用湿法腐蚀技术,将光刻胶作为掩模,腐蚀掉裸露在外的铬膜;
(5)采用干法腐蚀技术,将铬膜作为掩模,在SiO2膜上刻蚀出介质光栅结构,去除铬膜;
(6)采用真空蒸镀技术,在SiO2光栅结构上蒸镀厚度为h的金属层,一种基于金属覆盖层的负折射人工材料制作完成;
其中所述SiO2膜的厚度为70纳米到80纳米;
所述介质光栅结构的周期为255纳米到265纳米,占空比为1.35∶1.2~1.45∶1.2;所述金属层的蒸镀厚度h为28纳米至32纳米。
2.根据权利要求1所述的一种制作基于金属覆盖层的负折射人工材料的方法,其特征在于:所述的步骤(2)中的铬膜厚度为25纳米至30纳米。
3.根据权利要求1所述的一种制作基于金属覆盖层的负折射人工材料的方法,其特征在于:所述步骤(2)中的光刻胶为用于电子束刻蚀的PMMA光刻胶,其厚度为40纳米至60纳米。
4.根据权利要求1所述的一种制作基于金属覆盖层的负折射人工材料的方法,其特征在于:所述步骤(5)中的干法腐蚀技术为等离子辅助刻蚀技术,刻蚀气体为CF3。
5.根据权利要求1所述的一种制作基于金属覆盖层的负折射人工材料的方法,其特征在于:所述步骤(6)中的金属为同一种金属。
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