[发明专利]一种基于金属覆盖层的负折射人工材料有效

专利信息
申请号: 200810227029.8 申请日: 2008-11-19
公开(公告)号: CN101424758A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 罗先刚;胡承刚;赵泽宇;陈旭南 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18;G02B1/10;G03F7/00;C23C14/24;C23C14/18
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 代理人: 贾玉忠;卢 纪
地址: 610209*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 金属 覆盖层 折射 人工 材料
【权利要求书】:

1.一种制作基于金属覆盖层的负折射人工材料的方法,其特征包括以下步骤:

(1)选择石英基片,并将其表面抛光;然后在其表面蒸镀一层SiO2膜;

(2)在SiO2膜表面蒸镀一层铬膜,然后在铬膜上均匀涂覆一层光刻胶;

(3)采用电子束光刻的方法,在光刻胶上制备出介质光栅结构;

(4)采用湿法腐蚀技术,将光刻胶作为掩模,腐蚀掉裸露在外的铬膜;

(5)采用干法腐蚀技术,将铬膜作为掩模,在SiO2膜上刻蚀出介质光栅结构,去除铬膜;

(6)采用真空蒸镀技术,在SiO2光栅结构上蒸镀厚度为h的金属层,一种基于金属覆盖层的负折射人工材料制作完成;

其中所述SiO2膜的厚度为70纳米到80纳米;

所述介质光栅结构的周期为255纳米到265纳米,占空比为1.35∶1.2~1.45∶1.2;所述金属层的蒸镀厚度h为28纳米至32纳米。

2.根据权利要求1所述的一种制作基于金属覆盖层的负折射人工材料的方法,其特征在于:所述的步骤(2)中的铬膜厚度为25纳米至30纳米。

3.根据权利要求1所述的一种制作基于金属覆盖层的负折射人工材料的方法,其特征在于:所述步骤(2)中的光刻胶为用于电子束刻蚀的PMMA光刻胶,其厚度为40纳米至60纳米。

4.根据权利要求1所述的一种制作基于金属覆盖层的负折射人工材料的方法,其特征在于:所述步骤(5)中的干法腐蚀技术为等离子辅助刻蚀技术,刻蚀气体为CF3

5.根据权利要求1所述的一种制作基于金属覆盖层的负折射人工材料的方法,其特征在于:所述步骤(6)中的金属为同一种金属。

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