[发明专利]一种基于金属覆盖层的负折射人工材料

说明书

技术领域

本发明涉及一种利用光栅上的金属覆盖层的电磁特性，实现可见光频段的负折射以及近零折射特性的人工复合结构材料的设计和制作。

技术背景

有效折射率是材料同外部电磁场相互作用的一个重要参数，而有效负折射或者零折射率的实现的一个要求就是需要在设计的波段或者频点处出现负的有效磁导率，目前，现有的办法是：近红外尤其是可见光波段的负磁导率人工复合材料利用周期排布的纳米量级的非磁性的单元结构，同外部激励电磁波形成共振，可以实现对材料的有效磁导率的调整，甚至得到负的有效磁导率。具备负磁导率的人工复合材料在电磁领域具有广阔应用前景，例如，金属在近红外以及可见光波段具有负的介电常数的特性，当负的磁导率以及负的介电常数结合时，材料能对入射光实现负折射；这种材料的负折射特性可以应用在超分辨成像，隐身材料等方面。

目前普遍用来实现非磁性材料的磁共振的单元结构主要是开口环结构以及金属断线对结构，当外部激励磁场垂直穿过开口环或者金属断线对所在平面时，能够激发出最大的磁共振效应，但目前的由开口环结构构成的磁共振材料都属于平面结构类型，入射电磁波必须与材料所在平面保持一定的夹角，才能形成足够强的磁共振来调节材料的有效磁导率，不能使用正入射是这种类型的材料的一大缺点；而由金属断线对结构构成的磁共振材料虽然能够采用正入射，但是其共振单元采用的是金属一电介质一金属的三层结构，这种三层结构需要三次沉积过程，制作起来比较复杂。

发明内容

本发明要解决的问题是：针对现有实现磁共振的人工复合材料的不足之处，提出一种利用光栅上的金属覆盖层的电磁特性，实现可见光频段的负折射以及近零折射的方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种制作基于金属覆盖层的负折射人工材料的方法，包括以下步骤：

(1)选择石英基片，并将其表面抛光；然后在其表面蒸镀一层SiO₂膜；

(2)在SiO₂膜表面再次蒸镀铬膜，然后均匀涂覆电子束光刻胶；

(3)采用电子束光刻的方法，在光刻胶上制备出介质光栅结构；

(4)采用湿法腐蚀技术，将光刻胶作为掩模，腐蚀掉裸露在外的铬膜；

(5)采用干法腐蚀技术，将铬膜作为掩模，在SiO₂膜上刻蚀出介质光栅结构，去除铬膜；

(6)采用真空蒸镀技术，在SiO₂光栅结构上蒸镀厚度为h的金属层，负折射金属光栅制作完成；

其中所述SiO₂膜的厚度为70纳米到80纳米；

所述介质光栅结构的周期为255纳米到265纳米，占空比为1.35∶1.2～1.45∶1.2；所述金属层的沉蒸镀厚度h为28纳米至32纳米。

所述的步骤(2)中的铬膜厚度为25纳米至30纳米。

所述步骤(2)中的光刻胶为用于电子束刻蚀的PMMA光刻胶，其厚度为40纳米至60纳米。

所述步骤(5)中的干法腐蚀技术为等离子辅助刻蚀技术，刻蚀气体为CF3。

所述步骤(6)中的金属为同一种金属。

本发明与同传统的实现磁共振的人工材料相比所具有的优点：本发明采用湿法腐蚀和干法腐蚀结合将SiO₂介质光栅制作在抛光石英基片上，利用正向沉积技术，实现了在SiO₂介质光栅上制作出具有特异电磁特性的形金属覆盖层结构。本发明制作简便，单层损耗小，单层正入射的特性，在磁共振、近场光学、隐身材料等领域，具有启示的意义以及很大的应用前景。

附图说明

图1是基于金属覆盖层的负折射人工材料的第一步的制作示意图；

图2是基于金属覆盖层的负折射人工材料的第二步的制作示意图；

图3是基于金属覆盖层的负折射人工材料的第三步的制作示意图；

图4是基于金属覆盖层的负折射人工材料的第四步的制作示意图；

图5是基于金属覆盖层的负折射人工材料的第五步的制作示意图；

图6是基于金属覆盖层的负折射人工材料的第六步的制作示意图；

图7是制作的基于金属覆盖层的负折射人工材料的结构示意图；

图中：1为表面抛光的石英基片；2为蒸镀的SiO₂膜；3为蒸镀的铬膜；4为旋涂的PMMA电子束光刻胶；5为沉积的金属。

具体实施方式