[发明专利]光刻预处理方法及光刻方法有效
| 申请号： | 200810226331.1 | 申请日： | 2008-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101740334A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 吴永玉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王琦;王诚华 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻预处理方法、以及一种光刻方法。本发明在旋涂光刻胶之前，先对半导体基体进行温度900℃～1100℃、持续时间为25秒～35秒的无氧热处理，从而能够使得半导体基体表面的碱性化合物被分解，因而在后续光刻所涉及的曝光过程中，旋涂于半导体基体表面的光刻胶所产生的光酸不会与该碱性化合物进行化学反应，进而就不会产生沉积在光刻胶中形成的沟槽底部的残留物。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 预处理 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻预处理方法，其特征在于，该方法包括：利用热处理设备以900℃～1100℃之间的任意温度对半导体基体进行无氧热处理；当所述无氧热处理持续时间到达25秒～35秒、使得半导体基体表面的碱性化合物分解后，停止热处理；待半导体基体退火后，将其从热处理设备中取出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
