[发明专利]光刻预处理方法及光刻方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体加工技术，特别涉及一种光刻预处理方法、以及一种 光刻方法。

背景技术

在现有的光刻过程中，直接在半导体基体的表面旋涂光刻胶，然后通过 光刻板对光刻胶选择性曝光，再通过显影、清洗去除被感光的部分光刻胶， 从而使得旋涂的光刻胶中形成与光刻板中图案对应的沟槽。而在光刻之后的 离子注入过程中，即可将离子通过该沟槽注入至半导体基体的对应位置。

然而，由于旋涂于半导体基体表面的光刻胶在曝光过程中会产生光酸、 且半导体基体表面存在碱性化合物，因而光刻胶在曝光过程中产生的光酸会 与半导体基体表面的碱性化合物发生化学反应，而该化学反应所产生的残留 物通常会沉积在光刻胶中形成的沟槽底部两侧，从而影响光刻之后的离子注 入。

以形成浅结的离子注入过程为例，如图1所示，半导体基体的表面已刻 蚀出有源区(Active Area)11和多晶栅(poly gate)12，如果直接在该半导 体基体的表面旋涂光刻胶，则在曝光之后会有上述残留物10沉积在沟槽底 部两侧的多晶栅12根部处。如此一来，沉积的残留物10有可能会延伸至多 晶栅12附近的有源区11处，从而在离子注入深度较小的情况下，使得应当 注入至有源区11的离子被残留物10所阻碍，从而影响注入离子后的有源区 11所形成的浅结。

而且，对于尺寸较小的多晶栅12、例如65nm，沟槽的宽度也就越小， 相应地，有源区11距离多晶栅12根部的距离也就越小，那么沉积在多晶栅 12根部处的残留物10就越有可能延伸至有源区11处。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种光刻预处理方法、以及一种光刻方法，能 够避在光刻过程中产生残留物。

本发明提供的一种光刻预处理方法，包括：

利用热处理设备以900℃～1100℃之间的任意温度对半导体基体进行无 氧热处理；

当所述无氧热处理持续时间到达25秒～35秒、使得半导体基体表面的 碱性化合物分解后，停止热处理；

待半导体基体退火后，将其从热处理设备中取出。

在开始热处理之前，该方法进一步向热处理设备内部充入保护气体。

所述保护气体为氮气。

所述热处理设备以1000℃对半导体基体进行无氧热处理。

所述持续时间为30秒。

所述半导体基体的表面刻蚀有多晶栅和有源区。

本发明提供的一种光刻方法，包括：

在半导体基体的表面旋涂光刻胶；

通过光刻板对光刻胶选择性曝光；

去除被感光的部分光刻胶；

其特征在于，所述在半导体基体的表面旋涂光刻胶之前，该方法还包括：

利用热处理设备以900℃～1100℃之间的任意温度对半导体基体进行无 氧热处理；

当所述无氧热处理持续时间到达25秒～35秒、使得半导体基体表面的 碱性化合物分解后，停止热处理；

待半导体基体退火后，将其从热处理设备中取出。

在开始热处理之前，该方法进一步向热处理设备内部充入保护气体。

所述保护气体为氮气。

所述热处理设备以1000℃对半导体基体进行无氧热处理。

所述持续时间为30秒。

所述半导体基体的表面刻蚀有多晶栅和有源区。

由上述技术方案可见，本发明在旋涂光刻胶之前，先对半导体基体进行 温度900℃～1100℃、持续时间为25秒～35秒的无氧热处理，从而能够使得 半导体基体表面的碱性化合物被分解，因而在后续光刻所涉及的曝光过程 中，旋涂于半导体基体表面的光刻胶所产生的光酸不会与该碱性化合物进行 化学反应，进而就不会产生沉积在光刻胶中形成的沟槽底部的残留物。

而且，热处理设备中可以充有保护气体、且热处理设备中不涉及大量化 合反应，因而还能够保证半导体基体不受污染。

附图说明

图1为现有技术中光刻后有残留物沉积的示意图。

图2为本发明实施例中光刻胶预处理方法的示例性流程图。

图3为本发明实施例中光刻后无残留物沉积的示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举 实施例，对本发明进一步详细说明。