[发明专利]光刻预处理方法及光刻方法有效
| 申请号： | 200810226331.1 | 申请日： | 2008-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101740334A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 吴永玉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王琦;王诚华 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 预处理 方法 | ||
1.一种光刻预处理方法，应用在半导体基体的表面旋涂光刻胶之前，其特 征在于，该方法包括：
利用热处理设备以900℃～1100℃之间的任意温度对半导体基体进行无 氧热处理；
当所述无氧热处理持续时间到达25秒～35秒、使得半导体基体表面的 碱性化合物分解后，停止热处理；
待半导体基体退火后，将其从热处理设备中取出。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在开始热处理之前，该方 法进一步向热处理设备内部充入保护气体。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述保护气体为氮气。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述热处 理设备以1000℃对半导体基体进行无氧热处理。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述持续时间为30秒。
6.如权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述半导 体基体的表面刻蚀有多晶栅和有源区。
7.一种光刻方法，包括：
在半导体基体的表面旋涂光刻胶；
通过光刻板对光刻胶选择性曝光；
去除被感光的部分光刻胶；
其特征在于，所述在半导体基体的表面旋涂光刻胶之前，该方法还包括：
利用热处理设备以900℃～1100℃之间的任意温度对半导体基体进行无 氧热处理；
当所述无氧热处理持续时间到达25秒～35秒、使得半导体基体表面的 碱性化合物分解后，停止热处理；
待半导体基体退火后，将其从热处理设备中取出。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在开始热处理之前，该方 法进一步向热处理设备内部充入保护气体。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述保护气体为氮气。
10.如权利要求7至9中任意一项所述的方法，其特征在于，所述热处 理设备以1000℃对半导体基体进行无氧热处理。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述持续时间为30秒。
12.如权利要求7至9中任意一项所述的方法，其特征在于，所述半导 体基体的表面刻蚀有多晶栅和有源区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
