[发明专利]实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法有效
| 申请号： | 200810224108.3 | 申请日： | 2008-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101728468A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 谭满清;孙孟相 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法，该方法包括：在长方体管壳的底部焊接一散热基座；在散热基座上靠近管壳后壁处焊接上一热沉；将半导体超辐射发光二极管的管芯衬底垂直焊接在该热沉上；从该长方体管壳前壁耦合出出光尾纤，从长方体管壳的侧壁或后壁引出管芯驱动电流的正负极两只管脚；将该长方体管壳置于封焊机的全氮气氛围中，对该长方体管壳进行半导体超辐射发光二极管管芯的无制冷封装。本发明提供的这种实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法，实现简单，结构尺寸小，其体积和成本得到大幅度降低，具备小型化的特点，实现了超辐射二极管模块的小型化和低成本化。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 半导体 辐射 发光二极管 制冷 封装 耦合 方法 | ||
【主权项】：
一种实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法，其特征在于，该方法包括：在长方体管壳的底部焊接一散热基座；在散热基座上靠近管壳后壁处焊接上一热沉；将半导体超辐射发光二极管的管芯衬底垂直焊接在该热沉上；从该长方体管壳前壁耦合出出光尾纤，从长方体管壳的侧壁或后壁引出管芯驱动电流的正负极两只管脚；将该长方体管壳置于封焊机的全氮气氛围中，对该长方体管壳进行半导体超辐射发光二极管管芯的无制冷封装。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810224108.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种波长可调谐的光纤激光器
- 下一篇：高压金氧半导体组件及其制作方法
