[发明专利]实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法有效
| 申请号： | 200810224108.3 | 申请日： | 2008-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101728468A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 谭满清;孙孟相 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 实现 半导体 辐射 发光二极管 制冷 封装 耦合 方法 | ||
1.一种实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法，其特 征在于，该方法包括：
在长方体管壳的底部焊接一散热基座；
在散热基座上靠近管壳后壁处焊接上一热沉；
将半导体超辐射发光二极管的管芯衬底垂直焊接在该热沉上；
从该长方体管壳前壁耦合出出光尾纤，从长方体管壳的侧壁或后壁引 出管芯驱动电流的正负极两只管脚；
将该长方体管壳置于封焊机的全氮气氛围中，对该长方体管壳进行半 导体超辐射发光二极管管芯的无制冷封装。
2.根据权利要求1所述的实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装 耦合的方法，其特征在于，所述散热基座是与该长方体管壳的底部面积相 同的散热铜板或木板。
3.根据权利要求1或2所述的实现半导体超辐射发光二极管无制冷 封装耦合的方法，其特征在于，所述散热基座的厚度是1mm。
4.根据权利要求1所述的实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装 耦合的方法，其特征在于，所述热沉由氮化铝材料制作而成。
5.根据权利要求1所述的实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装 耦合的方法，其特征在于，所述从该长方体管壳前壁耦合出出光尾纤，从 长方体管壳的侧壁或后壁引出管芯驱动电流的正负极两只管脚的步骤中， 是采用方形设计，通过激光焊接技术实现光纤耦合，通过金丝压焊技术实 现管芯驱动电流正负极导线的引出。
6.根据权利要求1所述的实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装 耦合的方法，其特征在于，所述长方体管壳的长度范围为5.0mm至 12.0mm，宽度范围为3.0mm至8.0mm，高为4.5mm。
7.根据权利要求1所述的实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装 耦合的方法，其特征在于，所述长方体管壳采用散热较好的可筏合金材料 制作而成。
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