[发明专利]一种降低SRAM功耗的电路和方法无效
| 申请号： | 200810222427.0 | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101369452A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张浩 | 申请（专利权）人： | 北京中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾惠忠 |
| 地址： | 100083北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种降低SRAM功耗的电路和方法，该电路包括：读写访问单元，用于对SRAM进行读写操作，并输出触发信号；低功耗模式控制单元，用于接收读写访问单元的触发信号，产生时钟切换信号；时钟切换单元，用于接收时钟切换信号，对SRAM进行时钟切换。本发明通过在SRAM有读写操作时，向其提供高频时钟；在SRAM读写操作结束时，将其时钟切换至低频，并且实现SRAM快速进入低功耗模式，而且能够快速地唤醒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 sram 功耗 电路 方法 | ||
【主权项】：
1、一种降低SRAM功耗的电路，其特征在于，包括：读写访问单元，用于对SRAM进行读写操作，并输出触发信号；低功耗模式控制单元，用于接收读写访问单元的触发信号，产生时钟切换信号；时钟切换单元，用于接收时钟切换信号，对SRAM进行时钟切换。
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