[发明专利]一种降低SRAM功耗的电路和方法无效
申请号: | 200810222427.0 | 申请日: | 2008-09-16 |
公开(公告)号: | CN101369452A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 张浩 | 申请(专利权)人: | 北京中星微电子有限公司 |
主分类号: | G11C11/413 | 分类号: | G11C11/413 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 顾惠忠 |
地址: | 100083北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 sram 功耗 电路 方法 | ||
1.一种降低SRAM功耗的电路,其特征在于,包括:
读写访问单元,用于对SRAM进行读写操作,并输出触发信号;
低功耗模式控制单元,用于接收读写访问单元的触发信号,产生时钟切换信号;
时钟切换单元,用于接收时钟切换信号,对SRAM进行时钟切换。
2.根据权利要求1所述的降低SRAM功耗的电路,其特征在于,
所述触发信号为低电平,表示SRAM有读写访问;所述触发信号为高电平,表示SRAM读写访问结束。
3.根据权利要求2所述的降低SRAM功耗的电路,其特征在于,所述时钟切换为高频时钟CLK1与低频时钟CLK2之间的切换;当所述触发信号为低电平时,SRAM的时钟从低频切换至高频;当所述触发信号为高电平时,SRAM的时钟从高频切换至低频。
4.根据权利要求3所述的降低SRAM功耗的电路,其特征在于,
所述高频时钟CLK1在低频时钟CLK2完成一个时钟周期前时切入。
5.根据权利要求1所述的降低SRAM功耗的电路,其特征在于,所述低功耗模式控制单元具体包括:
第一D型触发器,其时钟输入端连接高频时钟CLK1,数据输入端连接所述触发信号,数据输出端输出信号SD1;
第二D型触发器,其时钟输入端连接高频时钟CLK1,数据输入端连接第一D型触发器的输出信号SD1,数据输出端输出信号SD2;
与门,用于将SD1信号与SD2信号相与,输出时钟切换信号。
6.根据权利要求1所述的降低SRAM功耗的电路,其特征在于,所述时钟切换单元具体包括:
第三D型触发器,其时钟输入端连接高频时钟CLK1,数据输入端连接低频时钟CLK2;
第四D型触发器,其时钟输入端连接高频时钟CLK1,数据输入端连接第三D型触发器输出信号;
选择器,其选择控制信号为时钟切换信号,输入端为第四D型触发器的输出信号及高频时钟CLK1,并将其输出时钟信号提供给SRAM。
7.根据权利要求6所述的降低SRAM功耗的电路,其特征在于,还包括:
时钟同步模块,其在将低频时钟CLK2接入第三D型触发器D3的数据输入端,与将高频时钟CLK1接入第三D型触发器D3的时钟输入端之前,对低频时钟CLK2在高频时钟CLK1域中进行同步。
8.一种降低SRAM功耗的方法,其特征在于,包括以下步骤:
当接收到SRAM读写操作请求时,输出低电平触发信号,依据所述低电平触发信号将SRAM的时钟从低频切换至高频;当SRAM读写操作结束时,输出高电平触发信号,依据所述高电平触发信号将SRAM的时钟从高频切换至低频。
9.根据权利要求8所述的降低SRAM功耗的方法,其特征在于,还包括:
在切换时钟之前,对低频时钟在高频时钟域中进行同步。
10.根据权利要求8所述的降低SRAM功耗的方法,其特征在于,
所述高频时钟在低频时钟完成一个时钟周期前时切入。
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