[发明专利]掩膜板及其制造方法、TFT基板制造方法无效
| 申请号： | 200810222265.0 | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101673047A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 明星;周伟峰;郭建;赵鑫 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/20;G02F1/355;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掩膜板及其制造方法、TFT基板制造方法，其中掩膜板制造方法包括：步骤10、将掩膜板信息写入存储晶体，使得所述存储晶体制备成掩膜板。其中TFT制造方法除了包括步骤10，还包括步骤20、将光束射向所述掩膜板，透过所述存储晶体携带所述掩膜板信息的光束对涂有光刻胶的TFT基板进行曝光。本发明提供的掩膜板及其制造方法、TFT基板制造方法，通过采用铌酸锂、钛酸钡等具有光折变性质的晶体存储掩膜板信息，达到了制作过程环保无污染，可利用一块晶体制作多块掩膜板，可重复利用存储晶体，降低成本等效果。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜板 及其 制造 方法 tft | ||
【主权项】：
1、一种掩膜板制造方法，其特征在于，包括：步骤10、将掩膜板信息写入存储晶体，使得所述存储晶体成为掩膜板。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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