[发明专利]掩膜板及其制造方法、TFT基板制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示器和半导体芯片制造领域，尤其涉及一种掩膜板及其制造方法，TFT基板制造方法。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)-液晶显示器(LiquidCrystal Display，简称LCD)作为一种低功耗低辐射的新型显示器，使用越来越广泛。在制造TFT-LCD的阵列(Array)基板的工艺流程中，制造Array基板所需要的掩膜板是非常重要的一个环节。

目前采用的掩膜板(Mask)是在高透过率的石英基板31上面沉积一层铬金属层32，一般为铬及三氧化二铬层，厚度分别为和然后在铬金属层32上面涂布一层光刻胶33，接下来使用光刻机对光刻胶33进行曝光，对曝光之后的石英基板31进行显影刻蚀并对光刻胶33进行剥离，从而形成掩膜板，其制造方法示意图如图1所示。三氧化二铬是正六价的铬通过氧化还原得来的，为了保护环境，金属铬并不允许排放；因此这种Mask的生产过程不利于环保。在掩膜板的生产过程中光刻胶和显影液两种化学物质的使用同样也会污染环境，特别是显影液对人体有伤害。同时，在掩膜板的实际使用中，会由于各种生产过程本身的原因或使用原因导致掩膜板堆积灰尘，或产生生长性不良；对掩膜板灰尘的清理只有吹气这一种清理方式，对掩膜板的生长性不良只能进行维修，而维修费用比较昂贵；此外，掩膜板上的图样一旦形成就很难修改形成其他掩膜板，无法重复利用。

发明内容

本发明提供一种掩膜板及其制造方法、TFT基板制造方法，有效解决现有技术掩膜板的制造过程污染环境，现有掩膜板维修费用高，掩膜板图样无法重复利用等缺陷。

为实现上述目的，本发明提供了一种掩膜板制造方法，包括：

步骤10、将掩膜板信息写入存储晶体，使得所述存储晶体成为掩膜板。

步骤10具体包括：

步骤101、用分束器将激光器发出的光分成两个光束；

步骤102、将其中一个光束照射到包含有掩膜板信息的底板上使之成为携带所述掩膜板信息的写入光，将另一个光束作为参考光；

步骤103、调整所述写入光和参考光的相位和照射方向使之射入存储晶体，将所述掩膜板信息写入到所述存储晶体中，使得所述存储晶体成为掩膜板。

步骤101具体包括：将波长为351nm的紫外光激光器发出的光准直后射入分束器，使之成为两个光束。

步骤103具体包括：调整所述写入光和参考光的相位和照射方向，使所述写入光和参考光以15-40度的夹角射入存储晶体，将所述掩膜板信息写入到所述存储晶体中。

所述步骤10中的存储晶体包括铌酸锂晶体，钛酸钡晶体。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种包括上述掩膜板制造方法的TFT基板制造方法，还包括：

步骤20、将光束射向所述掩膜板，透过所述存储晶体携带所述掩膜板信息的光束对涂有光刻胶的TFT基板进行曝光。

所述步骤20具体包括：

将经过相位和角度调整的光束射向存储有掩膜板信息的存储晶体，透过所述存储晶体携带所述掩膜板信息的光束对涂有光刻胶的TFT基板进行曝光

所述步骤20具体包括：

步骤201、用滤波器对曝光机光源照射出的光进行滤波；

步骤202、使滤波后的光透过狭缝得到相干光；

步骤203、用所述相干光辐照存储有掩膜板信息的存储晶体，使得透过所述存储晶体的相干光携带所述掩膜板信息；

步骤204、对携带所述掩膜板信息的所述相干光的照射方向进行调整，用调整后的所述相干光对涂有光刻胶的TFT基板进行曝光。

所述步骤201中滤波得到的光的波长为405nm或436nm。所述存储晶体包括铌酸锂晶体，钛酸钡晶体等具有光折变性质的晶体。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种掩膜板，包括：存储晶体，所述存储晶体中存储有掩膜板信息。

所述存储晶体包括铌酸锂晶体，钛酸钡晶体。

本发明提供的掩膜板及其制造方法、TFT基板制造方法，通过用具有光折变性质的晶体来存储掩膜板信息，达到了环保的效果，而且存储晶体不会出现生长性不良，从而提高了制造的掩膜板的寿命，避免了出现生长性不良而带来的维修费用问题，另外存储晶体可以存储多幅图像，可以被擦除和重复利用，从而降低了成本。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1为现有技术掩膜板制造方法示意图；

图2为本发明掩膜板制造方法实施例流程图；

图3为本发明TFT基板制造方法实施例一流程图；