[发明专利]掩膜板及其制造方法、TFT基板制造方法无效
| 申请号： | 200810222265.0 | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101673047A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 明星;周伟峰;郭建;赵鑫 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/20;G02F1/355;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘 芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜板 及其 制造 方法 tft | ||
1、一种掩膜板制造方法，其特征在于，包括：
步骤10、将掩膜板信息写入存储晶体，使得所述存储晶体成为掩膜板。
2、根据权利要求1所述的掩膜板制造方法，其特征在于，所述步骤10具体包括：
步骤101、用分束器将激光器发出的光分成两个光束；
步骤102、将其中一个光束照射到包含有掩膜板信息的底板上使之成为携带所述掩膜板信息的写入光，将另一个光束作为参考光；
步骤103、调整所述写入光和参考光的相位和照射方向使之射入存储晶体，将所述掩膜板信息写入到所述存储晶体中，使得所述存储晶体成为掩膜板。
3、根据权利要求2所述的掩膜板制造方法，其特征在于，所述步骤101具体包括：将波长为351nm的紫外光激光器发出的光准直后射入分束器，使之成为两个光束。
4、根据权利要求2所述的掩膜板制造方法，其特征在于，所述步骤103具体包括：调整所述写入光和参考光的相位和照射方向，使所述写入光和参考光以15-40度的夹角射入存储晶体，将所述掩膜板信息写入到所述存储晶体中。
5、根据权利要求1-4所述的掩膜板制造方法，其特征在于，所述步骤10中的存储晶体包括铌酸锂晶体，钛酸钡晶体。
6、一种包括权利要求1-5所述的掩膜板制造方法的TFT基板制造方法，其特征在于，还包括：
步骤20、将光束射向所述掩膜板，透过所述存储晶体携带所述掩膜板信息的光束对涂有光刻胶的TFT基板进行曝光。
7、根据权利要求6所述的TFT基板制造方法，其特征在于，所述步骤20具体包括：
将经过相位和角度调整的光束射向存储有掩膜板信息的存储晶体，透过所述存储晶体携带所述掩膜板信息的光束对涂有光刻胶的TFT基板进行曝光。
8、根据权利要求7所述的TFT基板制造方法，其特征在于，所述步骤20具体包括：
步骤201、用滤波器对曝光机光源照射的光进行滤波；
步骤202、使滤波后的光透过狭缝得到相干光；
步骤203、用所述相干光辐照存储有掩膜板信息的存储晶体，使得透过所述存储晶体的相干光携带所述掩膜板信息；
步骤204、对携带所述掩膜板信息的所述相干光的照射方向进行调整，用调整后的所述相干光对涂有光刻胶的所述TFT基板进行曝光。
9、根据权利要求8所述的TFT基板制造方法，其特征在于，所述步骤201中滤波得到的光的波长为405nm或436nm。
10、一种掩膜板，其特征在于，包括存储晶体，所述存储晶体中存储有掩膜板信息。
11、根据权利要求10所述的掩膜板，其特征在于，所述存储晶体包括铌酸锂晶体，钛酸钡晶体。
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