[发明专利]一种缝隙填充的处理方法和浅沟道隔离槽的制作方法有效
| 申请号： | 200810222110.7 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101673660A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 胡亚威;刘明源;郑春生 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种缝隙填充的处理方法，用于在带有缝隙的半导体衬底上形成薄膜并完全填充该缝隙，包括：使用高密度等离子体化学气相沉积的方法进行填隙；使用三氟化氮对所述缝隙边角处沉积的悬突进行刻蚀；通入氢气进行氢钝化处理后，通入氧气与所述氢钝化处理后残留的氢气反应，并排出反应腔中的全部气体，返回执行所述填隙操作直到完成对所述缝隙的填充。本发明实施例提供的这种缝隙填充的处理方法，在进行氢钝化处理后通入氧气，能够去除反应腔中残余的氢气，从而避免了氢气被引入生成的薄膜中，从而能够避免各种因H2而产生的性能降低，提高薄膜性能。本发明还同时公开了一种浅沟道隔离槽的制作方法，能够提高隔离槽薄膜的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缝隙 填充 处理 方法 沟道 隔离 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种缝隙填充的处理方法，用于在带有缝隙的半导体衬底上形成薄膜并完全填充该缝隙，其中包括：使用高密度等离子体化学气相沉积的方法进行填隙；使用三氟化氮对所述缝隙边角处沉积的悬突进行刻蚀；通入氢气进行氢钝化处理后，返回执行所述填隙操作直到完成对所述缝隙的填充；其特征在于，该方法在所述通入氢气进行氢钝化处理后，返回执行所述填隙操作之前还包括：通入氧气与所述氢钝化处理后残留的氢气反应，并排出反应腔中的全部气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
