[发明专利]一种缝隙填充的处理方法和浅沟道隔离槽的制作方法

权利要求书

1.一种缝隙填充的处理方法，用于在带有缝隙的半导体衬底上形成薄膜并 完全填充该缝隙，其中包括：

使用高密度等离子体化学气相沉积的方法进行填隙；

使用三氟化氮对所述缝隙的边角处沉积的悬突进行刻蚀；

通入氢气进行氢钝化处理后，返回执行所述填隙操作直到完成对所述缝隙 的填充；

其特征在于，该方法在所述通入氢气进行氢钝化处理后，返回执行所述填 隙操作之前还包括：

通入氧气与所述氢钝化处理后残留的氢气反应，并排出反应腔中的全部气 体。

2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述缝隙包括晶体管栅 极、内连线和浅沟道隔离槽。

3.一种浅沟道隔离槽STI的制作方法，其特征在于，该方法包括：

使用高密度等离子体化学气相沉积的方法进行STI薄膜沉积；

使用三氟化氮对所述缝隙的边角处沉积的悬突进行刻蚀；

通入氢气进行氢钝化处理；

通入氧气与所述氢钝化处理后残留的氢气反应，并将剩余气体排出反应 腔，返回执行所述STI薄膜沉积的操作直至完成所述薄膜的制作。