[发明专利]功率半导体装置有效
| 申请号： | 200810213895.1 | 申请日： | 2008-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101399262A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | R·巴耶勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/16;H01L23/48;H01L21/603 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;张志醒 |
| 地址： | 德国新*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明的名称是功率半导体装置，提供了一种功率半导体装置，它包括功率半导体芯片，而功率半导体芯片电连接到具有至少两个插头类元件的一组插头类元件，并且还包括金属片带状线，金属片带状线具有接收第一组插头类元件的一组开口，其中，金属片带状线中的该组开口和该组插头类元件建立了压入连接。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种功率半导体装置，包括功率半导体芯片，电连接到具有至少两个插头类元件的第一组插头类元件；以及金属片带状线，包括接收所述一组插头类元件的一组开口；其中所述金属片带状线中的所述一组开口和所述一组插头类元件建立了压入连接。
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