[发明专利]功率半导体装置

权利要求书

1.一种功率半导体装置，包括：

功率半导体芯片，电连接到具有至少两个插头类元件的第一组插 头类元件；以及

金属片带状线，包括接收所述第一组插头类元件的一组开口；

其中所述金属片带状线中的所述一组开口和所述第一组插头类 元件建立压入连接，

其中所述第一组插头类元件中的插头类元件相互电连接。

2.如权利要求1所述的功率半导体装置，还包括具有承载所述 功率半导体芯片的至少一个金属化层的衬底，其中所述第一组插头类 元件安装在所述金属化层上。

3.如权利要求1所述的功率半导体装置，其中所述插头类元件 包括针脚型结构、叉型结构、眼型结构、栓型结构或铆钉型结构。

4.如权利要求1所述的功率半导体装置，其中所述第一组插头 类元件中的插头类元件沿直线设置。

5.如权利要求2所述的功率半导体装置，其中所述插头类元件 直接接合或导电胶合到所述衬底的部分所述金属化层。

6.如权利要求2所述的功率半导体装置，其中所述插头类元件 直接焊接到所述衬底的部分所述金属化层。

7.如权利要求2所述的功率半导体装置，其中所述插头类元件 直接软钎焊到所述衬底的部分所述金属化层。

8.如权利要求2所述的功率半导体装置，其中所述插头类元件 由在接线片一端的梳状结构形成，其中所述接线片接合或导电胶合到 所述衬底的部分所述金属化层。

9.如权利要求2所述的功率半导体装置，其中所述插头类元件 由在接线片一端的梳状结构形成，其中所述接线片焊接到所述衬底的 部分所述金属化层。

10.如权利要求2所述的功率半导体装置，其中所述插头类元件 由在接线片一端的梳状结构形成，其中所述接线片软钎焊到所述衬底 的部分所述金属化层。

11.如权利要求2所述的功率半导体装置，还包括具有至少两个 插头类元件的其它组插头类元件、设置在所述衬底上的至少一个其它 功率半导体芯片，其中每个功率半导体芯片包括第一负载端子和第二 负载端子，每个所述第一负载端子连接到所述第一组插头类元件，并 且每个所述第二负载端子连接到其它组插头类元件。

12.如权利要求11所述的功率半导体装置，还包括其它金属片 带状线，所述其它金属片带状线包括接收所述其它组插头类元件的其 它组开口，所述其它组开口和所述其它组插头类元件建立压入连接， 其中所述金属片带状线和所述其它金属片带状线平行设置。

13.如权利要求12所述的功率半导体装置，其中所述金属片带 状线和所述其它金属片带状线通过绝缘片分隔。

14.如权利要求13所述的功率半导体装置，其中所述金属片带 状线、所述其它金属片带状线和所述绝缘片被设置并施加有电流，使 得所述金属片带状线中的相应电流以相反方向流动。

15.如权利要求14所述的功率半导体装置，其中所述金属片带 状线、所述其它金属片带状线和所述绝缘片被设置，使得它们的结果 电感低于单个金属片带状线每一个的电感。

16.如权利要求11所述的功率半导体装置，其中功率半导体芯 片包括单个功率晶体管、晶体管半桥、三相桥或续流二极管。

17.如权利要求1所述的功率半导体装置，还包括其它电子组件， 所述其它电子组件包括电连接到第三组插头类元件的第一负载端子， 其中所述金属片带状线包括接收所述第三组插头类元件的第三组开 口，因而在所述半导体芯片与所述其它电子组件之间建立压入连接。

18.如权利要求17所述的功率半导体装置，其中所述其它电子 组件是阻塞电容器。

19.如权利要求17所述的功率半导体装置，其中所述其它电子 组件是用于所述功率半导体芯片的控制电路。