[发明专利]具有内置二极管IGBT的半导体器件和具有内置二极管DMOS的半导体器件有效
| 申请号： | 200810212562.7 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101414816A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 河野宪司 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567;H01L27/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及具有内置二极管IGBT的半导体器件和具有内置二极管DMOS的半导体器件，根据本发明的半导体器件，包括：半导体衬底(80)；内置二极管的绝缘栅双极晶体管(20)，其具有设置在所述衬底中的绝缘栅双极晶体管(21a)和二极管(22a)，其中，所述绝缘栅双极晶体管包括栅极，并且被输入到该栅极中的驱动信号所驱动；以及反馈单元(10、30、40)，用于检测经过所述二极管的电流。所述驱动信号从外部单元输入所述反馈单元中。当所述反馈单元没有检测到经过所述二极管的电流时，所述反馈单元将所述驱动信号传送至所述绝缘栅双极晶体管的栅极，当所述反馈单元检测到经过所述二极管的电流时，所述反馈单元停止将所述驱动信号传送至所述绝缘栅双极晶体管的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 内置 二极管 igbt 半导体器件 dmos | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：半导体衬底(80)；内置二极管的绝缘栅双极晶体管(20)，其具有设置在所述衬底(80)中的绝缘栅双极晶体管(21a)和二极管(22a)，其中，所述绝缘栅双极晶体管(21a)包括栅极，并且被输入到该栅极中的驱动信号所驱动；以及反馈单元(10、30、40)，用于检测经过所述二极管(22a)的电流，其中，所述驱动信号从外部单元输入到所述反馈单元(10、30、40)中，其中，当所述反馈单元(10、30、40)没有检测到经过所述二极管(22a)的电流时，所述反馈单元(10、30、40)将所述驱动信号传送至所述绝缘栅双极晶体管(21a)的栅极，并且其中，当所述反馈单元(10、30、40)检测到经过所述二极管(22a)的电流时，所述反馈单元(10、30、40)停止将所述驱动信号传送至所述绝缘栅双极晶体管(21a)的栅极。
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