[发明专利]具有内置二极管IGBT的半导体器件和具有内置二极管DMOS的半导体器件有效

专利信息
申请号: 200810212562.7 申请日: 2008-09-05
公开(公告)号: CN101414816A 公开(公告)日: 2009-04-22
发明(设计)人: 河野宪司 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567;H01L27/06
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 陈松涛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 具有 内置 二极管 igbt 半导体器件 dmos
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

半导体衬底(80);

内置二极管的绝缘栅双极晶体管(20),其具有设置在所述衬底(80) 中的绝缘栅双极晶体管(21a)和二极管(22a),其中,所述绝缘栅双极晶 体管(21a)包括栅极,并且被输入到该栅极中的驱动信号所驱动;以及

反馈单元(10、30、40),用于检测经过所述二极管(22a)的电流,

其中,所述驱动信号从外部单元输入到所述反馈单元(10、30、40) 中,

其中,当所述反馈单元(10、30、40)没有检测到经过所述二极管(22a) 的电流时,所述反馈单元(10、30、40)将所述驱动信号传送至所述绝缘 栅双极晶体管(21a)的栅极,并且

其中,当所述反馈单元(10、30、40)检测到经过所述二极管(22a) 的电流时,所述反馈单元(10、30、40)停止将所述驱动信号传送至所述 绝缘栅双极晶体管(21a)的栅极。

2.如权利要求1所述的半导体器件,

其中,所述反馈单元(10、30、40)包括用于检测经过所述二极管(22a) 的电流的感测电阻器(30),

其中,所述反馈单元(10、30、40)提供第一二极管电流阈值,用于 确定所述电流是否流过所述二极管(22a),并且所述第一二极管电流阈值 被设定为电压值,

其中,所述反馈单元(10、30、40)将所述感测电阻器(30)的两端 间的电压与所述第一二极管电流阈值相比较,

其中,当所述感测电阻器(30)的两端间的电压等于或大于所述第一 二极管电流阈值时,所述反馈单元(10、30、40)将所述驱动信号传送至 所述绝缘栅双极晶体管(21a)的栅极,并且

其中,当所述感测电阻器(30)的两端间的电压小于所述第一二极管 电流阈值时,所述反馈单元(10、30、40)停止将所述驱动信号传送至所 述绝缘栅双极晶体管(21a)的栅极。

3.如权利要求2所述的半导体器件,

其中,所述内置二极管的绝缘栅双极晶体管(20)还包括二极管电流 感测元件(22b),

其中,通过所述二极管电流感测元件(22b)的电流与通过所述二极管 (22a)的电流成比例,并且

其中,通过所述二极管电流感测元件(22b)的所述电流流过所述感测 电阻器(30)。

4.如权利要求2或3所述的半导体器件,还包括:

温度感测二极管元件(50),用于输出与在所述内置二极管的绝缘栅双 极晶体管(20)中所产生的温度相对应的正向电压,

其中,所述反馈单元(10、30、40)还提供第二二极管电流阈值,该 第二二极管电流阈值大于所述第一二极管电流阈值,并且所述第二二极管 电流阈值被设定为电压值,

其中,当所述正向电压大于一预定正向电压时,所述反馈单元(10、 30、40)用所述第二二极管电流阈值代替所述第一二极管电流阈值,从而 所述反馈单元(10、30、40)将所述感测电阻器(30)的两端间的电压与 所述第二二极管电流阈值相比较,

其中,所述预定正向电压对应于等于或大于一预定温度的、所述内置 二极管的绝缘栅双极晶体管(20)中的温度,

其中,在所述正向电压大于所述预定正向电压的情况下,当所述感测 电阻器(30)的两端间的电压等于或大于所述第二二极管电流阈值时,所 述反馈单元(10、30、40)将所述驱动信号传送至所述绝缘栅双极晶体管 (21a)的栅极,并且

其中,在所述正向电压大于所述预定正向电压的情况下,当所述感测 电阻器(30)的两端间的电压小于所述第二二极管电流阈值时,所述反馈 单元(10、30、40)停止将所述驱动信号传送至所述绝缘栅双极晶体管(21a) 的栅极。

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