[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体结构有效
| 申请号： | 200810211719.4 | 申请日： | 2008-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101399287A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 何大椿;汤乾绍;王哲谊;钟于彰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)，其结构包括栅极、源极、漏极以及浅沟槽隔离区。在漏极和栅极之间形成的浅沟槽隔离区被用来承受施加到漏极的高电压，并且浅沟槽隔离区与半导体衬底结合以形成凹陷。这样，浅沟槽隔离区的表面低于半导体衬底的表面。可选择地，浅沟槽隔离区的表面比半导体衬底的表面低300～1500埃。本发明的LDMOS结构不仅减小了“导通”电阻，而且增加了击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种横向扩散金属氧化物半导体结构，包括：栅极，其形成在半导体衬底上；源极，其形成在该半导体衬底中；漏极，其形成在该半导体衬底中；以及浅沟槽隔离区，其形成在该半导体衬底中，并且位于该漏极和该栅极之间，其中该浅沟槽隔离区的表面低于该半导体衬底的表面。
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