[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体结构有效
| 申请号： | 200810211719.4 | 申请日： | 2008-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN101399287A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 何大椿;汤乾绍;王哲谊;钟于彰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 结构 | ||
1.一种横向扩散金属氧化物半导体结构，包括：
栅极，其形成在半导体衬底上；
源极，其形成在该半导体衬底中；
漏极，其形成在该半导体衬底中；以及
浅沟槽隔离区，其形成在该半导体衬底中，并且位于该漏极和该栅极之间，其中该浅沟槽隔离区的表面低于该半导体衬底的表面。
2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该浅沟槽隔离区的表面比该半导体衬底的表面低300～1500埃。
3.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中位于该浅沟槽隔离区上的该栅极的底面低于该半导体衬底的表面。
4.根据权利要求3所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中位于该浅沟槽隔离区上的该栅极的底面比该半导体衬底的表面低300～1500埃。
5.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，进一步包括：氧化物层，其位于该栅极的下面。
6.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该浅沟槽隔离区被用来承受施加到该漏极的高电压。
7.一种横向扩散金属氧化物半导体结构，包括：
源极，其形成在半导体衬底中；
漏极，其形成在该半导体衬底中；
浅沟槽隔离区，其形成在该半导体衬底中，并且位于该漏极和栅极之间，其中该浅沟槽隔离区的表面低于该半导体衬底的表面；以及
栅极，其包括位于该浅沟槽隔离区上的第一部分和位于该半导体衬底上的第二部分，其中该第一部分的底部低于该第二部分的底部。
8.根据权利要求7所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该第一部分的底部比该第二部分的底部低300～1500埃。
9.根据权利要求7所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该浅沟槽隔离区的表面比该半导体衬底的表面低300～1500埃。
10.根据权利要求7所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，进一步包括：氧化物层，其位于该栅极的下面。
11.一种横向扩散金属氧化物半导体结构，包括：
源极，其形成在半导体衬底中；
漏极，其形成在该半导体衬底中；
浅沟槽隔离区，其形成在该半导体衬底中，并且位于该漏极和栅极之间，其中该浅沟槽隔离区的表面低于该半导体衬底的表面；以及
栅极，其从该浅沟槽隔离区的表面延伸至该半导体衬底的表面，并且在该浅沟槽隔离区和该半导体衬底之间具有一台阶。
12.根据权利要求11所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该台阶高度为300～1500埃。
13.根据权利要求11所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该浅沟槽隔离区的表面比该半导体衬底的表面低300～1500埃。
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