[发明专利]光电转换器件和多芯片图像传感器

摘要

本发明提供光电转换器件和多芯片图像传感器，其缩小像素间隔，而不会增大PN结电容。所述光电转换器件包括设置在其中的多个像素，每一个像素都包括构成光电转换区域的第一导电类型的第一杂质区域，设置在第一杂质区域中的构成信号获取区域的第二导电类型的第二杂质区域，第一导电类型的第三杂质区域和第一导电类型的第四杂质区域设置在每一个像素的外围，用于使每一个像素隔离，第四杂质区域被置于相邻像素之间，并且第四杂质区域的杂质浓度小于第三杂质区域的杂质浓度。

主权项

1.一种包括多个像素的光电转换器件，每一个像素都具有光电转换区域，该光电转换区域包括:第一导电类型的第一杂质区域，和设置于第一杂质区域中的、作为信号获取区域操作的第二导电类型的第二杂质区域，其中与第一杂质区域相邻地设置有第一导电类型的第三杂质区域和第一导电类型的第四杂质区域，以便一个像素中的第四杂质区域被置于所述一个像素中的第二杂质区域和与所述一个像素相邻的其它像素中的第二杂质区域之间，并且第四杂质区域的杂质浓度小于第三杂质区域的杂质浓度。