[发明专利]光电转换器件和多芯片图像传感器

权利要求书

1.一种包括多个像素的光电转换器件，每一个像素都具有光电转换区域，该光电转换区域包括：第一导电类型的第一杂质区域，和设置于第一杂质区域中的、作为信号获取区域操作的第二导电类型的第二杂质区域，其中

与第一杂质区域相邻地设置有第一导电类型的第三杂质区域和第一导电类型的第四杂质区域，以便一个像素中的第四杂质区域被置于所述一个像素中的第二杂质区域和与所述一个像素相邻的其它像素中的第二杂质区域之间，其中，所述第三杂质区域和所述第四杂质区域被提供在每一个像素的第一杂质区域的外围并且使各个像素的第一杂质区域都电隔离，并且

第四杂质区域的杂质浓度小于第三杂质区域的杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的光电转换器件，其中

第四杂质区域被设置在至少与所述信号获取区域最近的区域中。

3.根据权利要求1所述的光电转换器件，其中

第二杂质区域具有长方形形状，以便第四杂质区域沿着该长方形形状的区域的较长边设置。

4.一种包括多个像素的光电转换器件，每一个像素都具有光电转换区域，该光电转换区域包括：第一导电类型的第一杂质区域，和设置于第一杂质区域中的、作为信号获取区域操作的第二导电类型的第二杂质区域，其中

与第一杂质区域相邻地设置有第一导电类型的第三杂质区域和第一导电类型的第四杂质区域，以便一个像素中的第四杂质区域被置于所述一个像素中的第二杂质区域和与所述一个像素相邻的其它像素中的第二杂质区域之间，其中，所述第三杂质区域和所述第四杂质区域被提供在每一个像素的第一杂质区域的外围并且使各个像素的第一杂质区域都电隔离，并且

第四杂质区域的隔离宽度比第三杂质区域的隔离宽度窄。

5.根据权利要求4所述的光电转换器件，其中

第四杂质区域被设置在至少与所述信号获取区域最近的区域中。

6.根据权利要求4所述的光电转换器件，其中

第二杂质区域具有长方形形状，以便第四杂质区域沿着该长方形形状的区域的较长边设置。

7.一种包括多个像素的光电转换器件，每一个像素都具有光电转换区域，该光电转换区域包括：第一导电类型的第一杂质区域，和设置于第一杂质区域中的、作为信号获取区域操作的第二导电类型的第二杂质区域，其中

与第一杂质区域相邻地设置有第一导电类型的第三杂质区域和第一导电类型的第四杂质区域，以便一个像素中的第四杂质区域被置于所述一个像素中的第二杂质区域和与所述一个像素相邻的其它像素中的第二杂质区域之间，其中，所述第三杂质区域和所述第四杂质区域被提供在每一个像素的第一杂质区域的外围并且使各个像素的第一杂质区域都电隔离，并且

第四杂质区域的深度小于第三杂质区域的深度。

8.根据权利要求7所述的光电转换器件，其中

第四杂质区域被设置在至少与所述信号获取区域最近的区域中。

9.根据权利要求7所述的光电转换器件，其中

第二杂质区域具有长方形形状，以便第四杂质区域沿着该长方形形状的区域的较长边设置。

10.一种包括沿着多列设置的多个光电转换器件的多芯片图像传感器，每一个光电转换器件都是根据权利要求1提供的。

11.一种包括沿着多列设置的多个光电转换器件的多芯片图像传感器，每一个光电转换器件都是根据权利要求4提供的。

12.一种包括沿着多列设置的多个光电转换器件的多芯片图像传感器，每一个光电转换器件都是根据权利要求7提供的。