[发明专利]光电转换器件和多芯片图像传感器

说明书

技术领域

本发明涉及光电转换器件和多芯片图像传感器，具体来说，涉及用于扫描仪、视频摄像机、数字静物摄像机等等的光电转换器件和多芯片图像传感器。

背景技术

迄今为止，在用于读取传真机和扫描仪(用于读取像素)的线性型光电转换器件中，通过利用第一导电类型的掩埋区域以及第一导电类型的势垒区域来隔离半导体区域，来隔离相邻像素。每一个像素都具有光电二极管，该光电二极管由第一导电类型区域(由外延层构成)以及在第一导电类型区域中形成的第二导电类型区域的PN结形成。在日本专利申请特开No.2007-027558中公开了这样的结构。

发明内容

本发明的光电转换器件是包括在其中设置的多个像素的光电转换器件，每一个像素都包括：构成光电转换区域的第一导电类型的第一杂质区域，设置在第一杂质区域中的构成信号获取区域的第二导电类型的第二杂质区域，其特征在于，与所述第一杂质区域相邻地设置有第一导电类型的第三杂质区域和第一导电类型的第四杂质区域，第四杂质区域被置于所述第二杂质区域和相邻像素中的第二杂质区域之间，并且第四杂质区域的杂质浓度小于第三杂质区域的杂质浓度。

此外，本发明的光电转换器件是包括在其中设置的多个像素的光电转换器件，每一个像素都包括：构成光电转换区域的第一导电类型的第一杂质区域，设置在第一杂质区域中的构成信号获取区域的第二导电类型的第二杂质区域，其特征在于，与所述第一杂质区域相邻地设置有第一导电类型的第三杂质区域和第一导电类型的第四杂质区域，第四杂质区域被置于所述第二杂质区域和相邻像素中的第二杂质区域之间，并且第四杂质区域的隔离宽度比第三杂质区域的隔离宽度窄。

此外，本发明的光电转换器件是包括在其中设置的多个像素的光电转换器件，每一个像素都包括：构成光电转换区域的第一导电类型的第一杂质区域，设置在第一杂质区域中的构成信号获取区域的第二导电类型的第二杂质区域，其特征在于，与所述第一杂质区域相邻地设置有第一导电类型的第三杂质区域和第一导电类型的第四杂质区域，以便第四杂质区域被置于所述第二杂质区域和相邻像素中的第二杂质区域之间，并且第四杂质区域的深度小于第三杂质区域的深度。

通过下面的结合附图进行的描述，本发明的其它特征和优点将变得显而易见，其中，类似的参考字符在附图的所有图中表示相同或类似的部分。本说明书并入的并构成本说明书的一部分的附图例示了本发明的实施例，并与说明书一起，用于解释本发明的原理。

附图说明

图1是显示了包括三个像素的第一实施例的结构的平面图。

图2A是图1中的A-A′截面的截面结构的示意图，图2B是图1中的B-B′截面的截面结构的示意图。

图3A、3B、3C、3D、3E、3F、3G和3H是用于显示第一实施例的像素结构的半导体制造的工艺流程图。

图4A、4B、4C、4D、4E、4F、4G和4H是用于显示第一实施例的像素结构的半导体制造的工艺流程图。

图5是显示了包括三个像素的第二实施例的结构的平面图。

图6A是图5中的6A-6A截面的截面结构的示意图，图6B是图5中的6B-6B截面的截面结构的示意图。

图7是第三实施例的光电转换器件的平面图。

图8A、8B、8C、8D、8E、8F、8G和8H是用于显示第三实施例的像素结构的半导体制造的工艺流程图。

图9A、9B、9C、9D、9E、9F、9G和9H是用于显示第三实施例的像素结构的半导体制造的工艺流程图。

图10是使用光电转换器件的多芯片图像传感器的方框图。

图11是使用光电转换器件的多芯片图像传感器的光学系统的图。

图12是显示了光电转换器件的示例的电路图。

具体实施方式

下面，将使用附图详细描述本发明。

首先，将使用图12描述光电转换器件的电路的示例。图12是四个像素的光电转换部分和驱动电路的等效电路。像素a1到d1包括作为光电转换部分的光电二极管PDa到PDd。此外，像素a1到d1具有构成了源极跟随器电路的放大晶体管M3a到M3d，以及作为用于复位光电二极管PDa到PDd的单元的复位晶体管M4a到M4d。从放大晶体管M3a到M3d输出的信号通过读取晶体管M2a到M2d被临时保持在积累区域CAPa到CAPd中，并通过读取晶体管M1a到M1d输出到公共信号线14。使从放大晶体管到公共信号线的电路为读出电路。