[发明专利]等离子体蚀刻的控制方法有效
| 申请号： | 200810207618.X | 申请日： | 2008-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN101764040A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/311;H01L21/768;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明中公开了一种等离子体蚀刻的控制方法，该方法包括：在等离子体蚀刻工艺中，逐步增大作用于等离子体的偏转功率，并逐步减小所使用的氧气流量。通过使用上述的方法，可以在保持较大的蚀刻速度的同时，尽可能地保护PR层，使得蚀刻后的PR层仍保持较厚的厚度；同时，还可以在进行过蚀刻时防止阻挡层被刻穿。另外，通过使用上述的方法，还可使得蚀刻后所形成的通孔具有比较垂直的外部轮廓，而且各个通孔之间也具有较好的均匀性，从而可提高蚀刻后所形成的半导体元件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体蚀刻的控制方法，其特征在于，该方法包括：在等离子体蚀刻工艺中，作用于等离子体的偏转功率从初始值逐步增大到最终值，所使用的氧气流量从初始值逐步减小到最终值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
